[发明专利]发光元件的制作方法

权利要求书

1.一种发光元件的制作方法，其特征在于，包括：

于一生长基板上依序形成一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层；

形成一牺牲层于该第二半导体层上；

于该牺牲层形成一开口以暴露出该第二半导体层的一部分，其中该开口的侧壁与该第二半导体层构成一倾斜角，该倾斜角的角度范围位于45°至90°之间；

形成一第一绝缘层于该牺牲层上且藉由该开口接触该第二半导体层；

形成一第一键结层于该第一绝缘层上，该第一键结层具有一平坦部以及一凸部，其中该平坦部覆盖该第一绝缘层，且该凸部重叠该开口；

提供一承载基板；

形成一第二键结层于该承载基板上；

接合该第二键结层及该第一键结层；

去除部分该第一半导体层以及部份该第二半导体层以分别形成一第一图案化半导体层以及一第二图案化半导体层；

形成一第二绝缘层覆盖该第一图案化半导体层及该第二图案化半导体层，该第二绝缘层具有一第一接触孔及一第二接触孔；

形成一第一电极并通过该第一接触孔电性连接该第一图案化半导体层；

形成一第二电极并通过该第二接触孔电性连接该第二图案化半导体层；以及

移除该牺牲层，以使该凸部及接触该凸部的该第一绝缘层的部分形成一接合部，该接合部接触该第二图案化半导体层。

2.如权利要求1所述的发光元件的制作方法，其特征在于，于去除部分该第一半导体层以及部份该第二半导体层的步骤之前，移除该生长基板。

3.如权利要求1所述的发光元件的制作方法，其特征在于，该第二图案化半导体层位于该第一电极与该第二电极及该承载基板之间。

4.如权利要求1所述的发光元件的制作方法，其特征在于，该第一图案化半导体层为N型半导体层，且该第二图案化半导体层为P型半导体层。

5.如权利要求1所述的发光元件的制作方法，其特征在于，于垂直该承载基板的方向上，该开口于该承载基板的正投影面积与该第二图案化半导体层于该承载基板的正投影面积的比值范围位于1:2至1:625之间。

6.如权利要求1所述的发光元件的制作方法，其特征在于，更包括于移除该牺牲层的步骤之前，形成多个金属接垫分别电性连接该第一电极及该第二电极。

7.一种发光元件的制作方法，其特征在于，包括：

于一生长基板上依序形成一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层；

去除部分该第一半导体层以及部份该第二半导体层以分别形成一第一图案化半导体层以及一第二图案化半导体层；

形成一第二绝缘层覆盖该第一图案化半导体层及该第二图案化半导体层，该第二绝缘层具有一第一接触孔及一第二接触孔；

形成一第一电极并通过该第一接触孔电性连接该第一图案化半导体层；

形成一第二电极并通过该第二接触孔电性连接该第二图案化半导体层；

形成一牺牲层于该生长基板上，覆盖该第二图案化半导体层；

于该牺牲层形成一开口以暴露出该第二图案化半导体层的一部分，其中该开口的侧壁与该第二图案化半导体层构成一倾斜角，该倾斜角的角度范围位于45°至90°之间；

形成一第一绝缘层于该牺牲层上且藉由该开口接触该第二图案化半导体层；

形成一第一键结层于该第一绝缘层上，该第一键结层具有一平坦部以及一凸部，其中该平坦部覆盖该第一绝缘层，且该凸部重叠该开口；

提供一承载基板；

形成一第二键结层于该承载基板上；

接合该第二键结层及该第一键结层；

移除该生长基板；以及

移除该牺牲层，以使该凸部及接触该凸部的该第一绝缘层的部分形成一接合部，该接合部接触该第二图案化半导体层。

8.如权利要求7所述的发光元件的制作方法，其特征在于，该第一电极与该第二电极位于该第一图案化半导体层及该承载基板之间。