[发明专利]发光元件的制作方法

说明书

一种发光元件的制作方法，包括以下步骤。于生长基板上依序形成第一半导体层、发光层及第二半导体层。形成牺牲层于第二半导体层上。于牺牲层形成开口以暴露出第二半导体层的一部分，其中开口的侧壁与第二半导体层构成倾斜角，且倾斜角的角度范围位于45°至90°之间。形成第一键结层且其凸部重叠开口。提供承载基板。形成第二键结层并接合第二键结层及第一键结层。形成第一图案化半导体层以及第二图案化半导体层。移除牺牲层以露出凸部及接触凸部的第一绝缘层的部分形成的接合部。接合部接触第二图案化半导体层。

技术领域

本发明是有关于一种发光元件的制作方法，且特别是有关于一种垂直堆叠于接合部的发光元件的制作方法。

背景技术

发光二极管(light emitting diode；LED)具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点，因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。近年来，发光二极管已朝多色彩及高亮度发展，因此其应用领域已扩展至大型户外展板、交通信号灯及相关领域。在未来，发光二极管甚至可能成为兼具省电及环保功能的主要照明光源。

一般而言，发光二极管是先制作于晶片上，再通过巨量转移(mass transfer)技术，将发光二极管转置于显示面板上。因此，如何在同一晶片上，提供更多可供转置的发光二极管的数量，以降低制作成本及节省制作时间，为目前亟欲解决的课题。

发明内容

本发明的发光元件的制作方法，包括以下步骤。首先，于生长基板上依序形成第一半导体层、发光层及第二半导体层。形成牺牲层于第二半导体层上。于牺牲层形成开口以暴露出第二半导体层的一部分，其中开口的侧壁与第二半导体层构成倾斜角，且倾斜角的角度范围位于45°至90°之间。形成第一绝缘层于牺牲层上且藉由开口接触第二半导体层。形成第一键结层于第一绝缘层上，第一键结层具有平坦部以及凸部并覆盖第一绝缘层。提供承载基板。形成第二键结层于承载基板上。接合第二键结层及第一键结层。以激光剥离的方式移除生长基板。去除部分第一半导体层以及部分第二半导体层以分别形成第一图案化半导体层以及第二图案化半导体层。形成第二绝缘层并覆盖第一及第二半导体层。第二绝缘层具有第一接触孔及第二接触孔。形成第一电极并通过第一接触孔电性连接第一图案化半导体层。形成第二电极并通过第二接触孔电性连接第二图案化半导体层。以及，移除牺牲层，以使凸部及接触凸部的第一绝缘层的部分形成接合部，且接合部接触第二图案化半导体层。

本发明的发光元件的制作方法，包括以下步骤。首先，于生长基板上依序形成第一半导体层、发光层及第二半导体层。去除部分第一半导体层以及部分第二半导体层以分别形成第一图案化半导体层以及第二图案化半导体层。形成第二绝缘层并覆盖第一及第二半导体层。第二绝缘层具有第一接触孔及第二接触孔。形成第一电极并通过第一接触孔电性连接第一图案化半导体层。形成第二电极并通过第二接触孔电性连接第二图案化半导体层。形成牺牲层于生长基板上，覆盖第二图案化半导体层。于牺牲层形成开口以暴露出第二图案化半导体层的一部分，其中开口的侧壁与第二图案化半导体层构成倾斜角，且倾斜角的角度范围位于45°至90°之间。形成第一绝缘层于牺牲层上且藉由开口接触第二图案化半导体层。形成第一键结层于第一绝缘层上，第一键结层具有平坦部以及凸部并覆盖第一绝缘层。提供承载基板。形成第二键结层于承载基板上。接合第二及第一键结层。移除生长基板。以及，移除牺牲层，以使凸部及接触凸部的第一绝缘层的部分形成接合部，且接合部接触第二图案化半导体层。