[发明专利]集成芯片及其形成方法

权利要求书

1.一种集成芯片，包括：

存储器阵列，包括多行和多列中的多个单元，其中，所述单元包括沿着所述存储器阵列的第一行间隔开的多个第一类型带状单元，并且还包括沿着所述第一行间隔开的多个第二类型带状单元；

字线和控制栅极，沿着所述第一行延伸并且部分地限定所述第一行中的所述存储器阵列的单元；

字线带状线，沿着所述第一行在所述存储器阵列之上的第一高度处延伸，并且电耦合到所述第一类型带状单元和所述第二类型带状单元处的所述字线；以及

控制栅极带状线，沿着所述第一行在所述存储器阵列之上的第二高度处延伸并且电耦合到所述第一类型带状单元处的所述控制栅极，而不电耦合到所述第二类型带状单元处的控制栅极，其中，所述第一高度和所述第二高度不同。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述字线和所述控制栅极包括多晶硅，并且其中，所述字线带状线和所述控制栅极带状线包括金属。

3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一高度小于所述第二高度。

4.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述单元还包括沿着所述第一行间隔开的多个第三类型带状单元，并且其中，所述集成芯片还包括：

擦除栅极，沿着所述第一行延伸并且部分地限定所述第一行中的所述存储器阵列的所述单元；以及

擦除栅极带状线，沿着所述第一行在所述存储器阵列之上的第三高度处延伸并且电耦合到所述第三类型带状单元处的所述擦除栅极，但不电耦合到所述第一类型带状单元和所述第二类型带状单元处的擦除栅极，其中，所述第一高度、所述第二高度和所述第三高度不同。

5.根据权利要求4所述的集成芯片，还包括：

包括源极线的衬底，其中，所述源极线沿着所述第一行延伸并且部分地限定所述第一行中的所述存储器阵列的所述单元；以及

源极线带状线，沿着所述第一行在所述第三高度处延伸并且电耦合到所述第三类型带状单元处的所述源极线，但不电耦合到所述第一类型带状单元和所述第二类型带状单元处的源极线。

6.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述单元还包括沿着所述第一行间隔开的多个第三类型带状单元，并且其中，所述集成芯片还包括：

包括源极线区域的衬底，其中，所述源极线区域沿着所述第一行伸长并且部分地限定所述第一行中的所述存储器阵列的所述单元；以及

源极线带状线，沿着所述第一行在所述存储器阵列之上的第三高度处延伸，并且电耦合到所述第三类型带状单元处的所述源极线区域，但不电耦合到所述第一类型带状单元和所述第二类型带状单元处的源极线区域，其中，所述第一高度、所述第二高度和所述第三高度不同。

7.根据权利要求6所述的集成芯片，其中，所述字线带状线在多个第一位置处电耦合到所述字线，所述多个第一位置沿着所述第一行以第一频率重复，其中，所述源极线带状线在多个第二位置处与所述源极线区域电耦合，所述多个第二位置沿着所述第一行以第二频率重复，并且其中，所述第一频率大于所述第二频率并且是所述第二频率的整数倍。

8.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述单元包括沿着所述存储器阵列的第一列间隔开的多个存储器单元，并且其中，所述集成芯片还包括：

位线，沿着所述第一列在所述存储器阵列之上的第三高度处延伸并且电耦合到所述存储器单元，其中，所述第一高度、所述第二高度和所述第三高度不同。