[发明专利]一种SPR在近红外具有强SERS活性的Ag/TiS在审
申请号: | 201910870709.X | 申请日: | 2019-09-16 |
公开(公告)号: | CN110554021A | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 张小龙;张永军;王雅新;陈雷;赵晓宇;张帆 | 申请(专利权)人: | 吉林师范大学 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65;B82Y40/00;B82Y30/00;C23C14/20;C23C14/06;C23C14/35 |
代理公司: | 22201 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 李泉宏 |
地址: | 136000 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 表面增强拉曼散射 功能材料技术 聚苯乙烯小球 分层复合 复合结构 复合纳米 精确调控 复合材料 复合基 红外区 可调的 分层 溅射 沉积 制备 | ||
本发明公开了一种SPR在近红外具有强SERS活性的Ag/TiS2分层复合基底及其制备方法,属于复合纳米功能材料技术领域。本发明的目的是改善TiS2表面增强拉曼散射活性,获得有较强拉曼活性的基底,本发明所提供的复合基底为Ag和TiS2的复合材料,该复合结构是将Ag和TiS2通过分层溅射的方式沉积在200nm六方密排阵列的聚苯乙烯小球上获得,其中Ag厚度为10nm,TiS2厚度为2~10nm,具有在红外区可调的SPR特性,通过改变TiS2的厚度就可以实现SPR的精确调控。
技术领域
本发明属于复合纳米功能材料技术领域。
背景技术
近几十年来,人们一直在研究贵金属纳米颗粒中的局域表面等离子体共振(LSPR)特性。然而在半导体如Cu2-xS,ZnO等中也发现了LSPR。当半导体的掺杂量增加时,LSPR移动到近红外区域。Zhu等首次通过理论分析和实验证明了在半金属TiS2中也存在近红外区LSPR特性。这个发现首次将传统的纳米等离子技术拓展到贵金属以外的材料。自此LSPR不再被视为是贵金属“独有”属性,而是载流子集合的光学特征。贵金属纳米粒子的LSPR可以通过改变纳米粒子的大小、形状、组成或介电环境来调节。与金属不同的是,当半金属TiS2达到纳米尺寸后,其吸收波长达到近红外波段。TiS2表面等离子体共振特性对其厚度变化非常敏感,因此可以通过控制半金属TiS2厚度进而精确调控SPR。但是TiS2很弱的表面增强拉曼散射活性限制了其在拉曼散射领域的应用,因此设计和研究Ag/TiS2复合SERS活性基底,可以拓展SERS技术理论和应用的范围。
发明内容
为了改善TiS2表面增强拉曼散射活性,获得有较强拉曼活性的基底,本发明公开了一种SPR在近红外的Ag/TiS2表面增强拉曼散射活性基底,该基底为Ag和TiS2的复合材料,该复合结构是将Ag和TiS2通过分层溅射的方式沉积在200nm六方密排阵列的聚苯乙烯小球上获得,其中Ag厚度为10nm,TiS2厚度为2~10nm。
通过改变TiS2的溅射时间,调控Ag/TiS2活性基底在近红外区的SPR,利用Ag的局域表面等离子体共振效应与半金属TiS2的等离子体共振发生耦合,实现对SERS的增强。
该复合材料的制备步骤为:
(1)清洗硅片。将硅片并放入烧杯中,在烧杯中分别加入体积比为1:2:6的氨水、过氧化氢和去离子水的混合溶液中。将烧杯放在烤焦台上加热至沸腾,并保持5~10min,冷却后将液体倒出,依次用去离子水,无水乙醇反复超声15min。
(2)制备六方密排的聚苯乙烯小球阵列。直径200nm聚苯乙烯小球和无水乙醇的按照体积比为1:1混合,再通过超声处理使聚苯乙烯小球均匀分散,用移液枪将聚苯乙烯小球分散液滴在大块的硅片,使分散液均匀分布在硅片上,将大硅片缓慢倾斜的滑入液面平稳的器皿中,在水面上形成密排的聚苯乙烯小球阵列,最后用清洗后的硅片将浮在水面上的小球阵列缓慢的捞起来,吸水干燥后备用。
(3)制备Ag/TiS2分层纳米结构。利用真空沉积系统制备Ag/TiS2分层纳米结构。将制备完成的二维模板放入溅射室。真空度为2×10-4Pa,工作压强为0.6Pa,气流量为25sccm。Ag的溅射速率为10nm/min,溅射时间为1min。TiS2的溅射速率为2nm/min,溅射时间为1min~5min,优选1min。最后我们制备得到SPR在近红外区的Ag/TiS2复合纳米结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林师范大学,未经吉林师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910870709.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。