[发明专利]基于DRAM接口的低延迟融合IO控制方法和装置在审

专利信息
申请号: 201910871844.6 申请日: 2019-09-16
公开(公告)号: CN110781107A 公开(公告)日: 2020-02-11
发明(设计)人: 魏海霞;邝雨璇;陈朗;林莉 申请(专利权)人: 北京领芯迅飞科技有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16;G06F13/32;G06F13/42
代理公司: 11577 北京知呱呱知识产权代理有限公司 代理人: 管士涛
地址: 100000 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 地址空间 融合 中央处理器 目标地址 空间标识 物理空间 低延迟 预设 地址空间标识 扩展地址空间 系统数据存储 方法和装置 访问数据 固态硬盘 接口访问 数据传输 数据访问 物理容量 映射表 构建 延时 服务器 访问 查找
【权利要求书】:

1.一种基于DRAM接口的低延迟融合IO控制方法,其特征在于,包括:

基于固态硬盘的物理容量构建中央处理器访问的融合地址空间;

所述融合地址空间划分为DRAM物理空间和扩展地址空间,并将常用的系统数据存储至所述DRAM物理空间;其中,所述DRAM物理空间是所述固态硬盘的部分物理容量的直接映射;所述扩展地址空间为所述中央处理器通过DRAM接口访问的固态硬盘的地址空间,所述地址空间为直接内存存取空间;

当所述中央处理器通过预设的融合I/O控制器的DRAM接口访问融合地址空间时,获得待访问数据所对应的目标地址空间标识;根据预设的地址空间标识和地址空间的映射表,以及所述目标地址空间标识,查找所述中央处理器访问的目标地址空间;其中,所述目标地址空间包括DRAM物理空间或者扩展地址空间中的至少一个;所述融合I/O控制器是指整合所述动态随机存取存储器的内存空间和高速I/O的访问路径的控制器;其中,高速I/O是指所述固态硬盘和以太网控制器的I/O总线接口。

2.根据权利要求1所述的基于DRAM接口的低延迟融合IO控制方法,其特征在于,还包括:在融合I/O控制器中引入基于I2C总线的中断机制;其中,所述中断机制具体为增加I2C总线主控控制器巡查受控控制器的内存存储模块,当检测到所述内存存储模块存在异常时产生中断信号。

3.根据权利要求1所述的基于DRAM接口的低延迟融合IO控制方法,其特征在于,DRAM物理空间为实际的动态随机存取存储器的内存空间。

4.一种基于DRAM接口的低延迟融合IO控制装置,其特征在于,包括:

融合地址空间单元,用于基于固态硬盘的物理容量构建中央处理器访问的融合地址空间;

地址空间划分单元,用于所述融合地址空间划分为DRAM物理空间和扩展地址空间,并将常用的系统数据存储至所述DRAM物理空间;其中,所述DRAM物理空间是所述固态硬盘的部分物理容量的直接映射;所述扩展地址空间为所述中央处理器通过DRAM接口访问的固态硬盘的地址空间,所述地址空间为直接内存存取空间;

目标地址空间查找单元,用于当所述中央处理器通过预设的融合I/O控制器的DRAM接口访问融合地址空间时,获得待访问数据所对应的目标地址空间标识;根据预设的地址空间标识和地址空间的映射表,以及所述目标地址空间标识,查找所述中央处理器访问的目标地址空间;其中,所述目标地址空间包括DRAM物理空间或者扩展地址空间中的至少一个;所述融合I/O控制器是指整合所述动态随机存取存储器的内存空间和高速I/O的访问路径的控制器;其中,高速I/O是指所述固态硬盘和以太网控制器的I/O总线接口。

5.根据权利要求4所述的基于DRAM接口的低延迟融合IO控制装置,其特征在于,还包括:中断机制单元,用于在融合I/O控制器中引入基于I2C总线的中断机制;其中,所述中断机制具体为增加I2C总线主控控制器巡查受控控制器的内存存储模块,当检测到所述内存存储模块存在异常时产生中断信号。

6.一种电子设备,其特征在于,包括:

处理器;以及

存储器,用于存储基于DRAM接口的低延迟融合IO控制方法的程序,该电子设备通电并通过所述处理器运行该基于DRAM接口的低延迟融合IO控制方法的程序后,执行上述权利要求1-3任意一项所述的基于DRAM接口的低延迟融合IO控制方法。

7.一种计算机可读存储介质,其特征在于,该计算机可读存储介质中包含一个或多个程序指令,所述一个或多个程序指令用于被服务器执行如权利要求1-3任一项所述的基于DRAM接口的低延迟融合IO控制方法。

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