[发明专利]一种光电探测产品键合涂丝工艺

权利要求书

1.一种光电探测产品键合涂丝工艺，其特征在于，包括以下步骤：

（a） X射线探测器进行装片，在PCB板上涂覆厚度为20~50μm的导电胶；

（b）将单通道漏电小于10pA的光敏二极管阵列芯片通过导电胶粘连到PCB板表面，并进行高温固化；

（c）使用0.8~1.3mil硅铝丝键合，将光敏二极管阵列芯片与PCB板进行电连接，保证弧高＞300μm，键合拉力＞5g；

（d）在上述硅铝丝上使用特定胶水A进行逐个点胶，点胶位置中心为键合点，点胶的长×宽=（1±0.2）mm*（3±0.3）mm；

（e）将尺寸为（25.5±0.5）mm*（4±0.3）mm的晶体粘接到芯片表面并固化；

（f）采用特定胶水B进行条状涂胶，涂覆住步骤（d）的点胶胶点，并填充晶体、芯片及PCB板之间的空隙，其后进行胶水固化；

（g）对上述PCB板进行排针焊接，即得到产品；

（h）测试成品的电性能并做可靠性筛选；

步骤（d）中所述胶水A的热膨胀系数30ppm，粘度为50000~60000cPs，肖氏硬度为65~100 HS，体积电阻率7×10¹⁴~5×10¹⁵Ω·cm；

步骤（f）中所述胶水B满足以下条件：45ppm胶水热膨胀系数100ppm，粘度6000~7000cPs，吸水率+0.12%~+0.56%，透光率＞92%。

2.根据权利要求1所述的光电探测产品键合涂丝工艺，其特征在于，步骤（a）中在所述PCB板上进行沉金工艺处理，金的厚度为1~2μm。

3.根据权利要求1所述的光电探测产品键合涂丝工艺，其特征在于，步骤（b）中所述高温固化在N₂气氛下进行，固化温度为140~160℃。

4.根据权利要求1所述的光电探测产品键合涂丝工艺，其特征在于，步骤（g）中使用电烙铁对所述PCB板进行排针焊接，电烙铁温度≤350℃。

5.根据权利要求1所述的光电探测产品键合涂丝工艺，其特征在于，步骤（h）中使用正反向测试设备对所述成品进行性能测试，单通道漏电＜50pA。

6.根据权利要求1所述的光电探测产品键合涂丝工艺，其特征在于，步骤（f）与步骤（d）中的胶水点胶应力相反。