[发明专利]硅片垫片用于雪崩二极管降噪的封装方法有效
| 申请号： | 201910871850.1 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110534439B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 辛清乐;张明;王涛;张世权 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L23/24;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 垫片 用于 雪崩 二极管 封装 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片垫片用于雪崩二极管降噪的封装方法，其特征在于，使用硅片垫片代替陶瓷垫片，包括如下步骤：
（a）提供雪崩二极管封装的管座（1）；
（b）在雪崩二极管管座（1）上使用绝缘胶进行硅片垫片（2）的粘接；
（c）在硅片垫片（2）上使用导电粘接胶进行芯片（3）的粘接；
（d）进行键合、封帽；
其中，步骤（b）中所述硅片垫片（2）的下表面绝缘，上表面导通，所述硅片垫片（2）的上表面镀一层导电金属层，所述导电金属层为铝层或银层。
2.根据权利要求1所述的硅片垫片用于雪崩二极管降噪的封装方法，其特征在于，所述硅片垫片（2）使用裸硅片，并对裸硅片的下表面进行绝缘处理，保证垫片下表面绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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