[发明专利]硅片垫片用于雪崩二极管降噪的封装方法

说明书

本发明涉及一种雪崩二极管的封装方法，具体涉及硅片垫片用于雪崩二极管降噪的封装方法。本发明雪崩二极管降噪的封装方法，包括如下步骤：（a）提供雪崩二极管封装的管座；（b）在雪崩二极管管座上使用绝缘胶进行硅片垫片的粘接；（c）在硅片基座上使用银胶进行芯片的粘接；（d）进行键合、封帽；其中，步骤（b）中所述硅片垫片的下表面绝缘，上表面导通。本发明采用契合度更高，价格更便宜的硅片垫片代替陶瓷垫片进行垫接，能够使整个结构的契合度更高；且硅片垫片的生产工艺简单，成本较陶瓷垫片而言，有大幅的降低。

技术领域

本发明涉及一种雪崩二极管的封装方法，具体涉及硅片垫片用于雪崩二极管降噪的封装方法。

背景技术

随着微电子技术的发展，雪崩二极管作为负阻器件，具有输出功率大的优点，雪崩二极管得到广泛的使用。但是由于雪崩倍增过程中产生电子和空穴对的无规则性，雪崩二极管会产生很大的噪声。按照正常方式封装，双管脚直接键合会遗留较大噪声，人们通常使用陶瓷垫片进行分隔封装。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供了一种硅片垫片用于雪崩二极管降噪的封装方法。本发明采用硅片垫片代替陶瓷垫片进行垫接，能够使整个结构的契合度更高；且硅片垫片的生产工艺简单，成本较陶瓷垫片而言，有大幅度的降低。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种硅片垫片用于雪崩二极管降噪的封装方法，其特征在于，该封装方法具有以下特征：

一种硅片垫片用于雪崩二极管降噪的封装方法，使用硅片垫片代替陶瓷垫片，包括如下步骤：

（a）提供雪崩二极管封装的管座；

（b）在雪崩二极管管座上使用绝缘胶进行硅片垫片的粘接；

（c）在硅片垫片上使用导电粘接胶进行芯片的粘接；

（d）进行键合、封帽；

其中，步骤（b）中所述硅片垫片的下表面绝缘，上表面导通。

所述硅片垫片使用裸硅片，并对裸硅片的下表面进行绝缘处理，保证垫片下表面绝缘。

在所述硅片垫片的上表面镀一层导电金属层，保证垫片上表面导通。

所述导电金属层为铝层或银层。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明采用契合度更高，价格更便宜的硅片垫片代替陶瓷垫片进行垫接，能够使整个结构的契合度更高；且硅片垫片的生产工艺简单，成本较陶瓷垫片而言，有大幅的降低。

附图说明

图1为本发明实施例1雪崩二极管降噪封装的结构示意图。

图2为本发明实施例1硅片垫片的截面结构示意图。

附图标记说明：1-管座；2-硅片垫片；3-芯片。

具体实施方式

实施例1

如图1所示，一种硅片垫片用于雪崩二极管降噪的封装方法，包括如下步骤：

（a）提供雪崩二极管封装的管座1；

（b）在雪崩二极管管座1上使用绝缘胶进行硅片垫片2的粘接；

（c）在硅片垫片2基座上使用银胶进行芯片3的粘接；

（d）进行键合、封帽；

步骤（b）中所述硅片垫片2使用裸硅片，并对裸硅片下表面进行热氧处理，保证垫片下表面绝缘，在裸硅片的上表面镀铝，保证垫片上表面导通，硅片垫片的结构如图2所示。

实施例2