[发明专利]一种接地结构及具有该接地结构的化学气相沉积设备

说明书

本申请公开了一种接地结构及具有该接地结构的化学气相沉积设备，所述接地结构包括沿垂直于所述基座方向设置的接地导杆、及固定于所述基座上且与所述基座电性连接的中间连接件；所述中间连接件远离所述基座一端与所述接地导杆滑动电性连接，本申请接地结构通过采用接地导杆与中间连接件相对滑动电性连接的方式实现基座的接地连接，相比于现有采用接地金属薄片反复弯折的方式，在整个成膜过程中，基座上下运动时的接地连接更加平稳，同时，采用该接地结构的化学气相沉积设备，提高了在连续成膜时的接地稳定性，避免了因接地结构接地不稳定或断裂造成膜质异常的现象。

技术领域

本申请涉及化学气相沉积设备相关技术领域，尤其涉及一种接地结构及具有该接地结构的化学气相沉积设备。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种化学气相沉积称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。

在PECVD沉积过程中，需要将反应室内的承载基板的基座接地，在现有技术中，大多通过厚度为0.25mm～0.5mm的接地金属薄片连接基座和反应室内的接地端子，多数情况下该接地金属薄片经过一道弯折；由于在PECVD沉积连续成膜过程中基座(Susceptor)需要进行上下运动，导致接地金属薄片绕其连接处和弯折处不断弯折，加上反应室内440℃～460℃的高温环境，极易造成接地金属薄片的断裂，从而影响成膜工艺，使得成膜后的膜质异常。

发明内容

本申请实施例提供一种接地结构及化学气相沉积设备，以解决连续成膜过程中基座上下运动导致现有接地金属薄片断裂，从而影响成膜工艺，使得成膜后的膜质异常的问题。

本申请实施例一方面提供了一种接地结构，用于化学气相沉积反应室中基座的接地连接，所述接地结构包括沿垂直于所述基座方向设置的接地导杆、及固定于所述基座上且与所述基座电性连接的中间连接件；所述中间连接件远离所述基座一端与所述接地导杆滑动电性连接。

根据本发明一优选实施例，所述中间连接件包括与基座连接的第一连接部、及由第一连接部向所述接地导杆方向延伸形成的第二连接部，所述第二连接部中部设有与所述接地导杆滑动连接的滑套。

根据本发明一优选实施例，所述第一连接部上设有多个连接孔，所述第一连接部与所述基座在所述连接孔处通过螺栓固定连接。

根据本发明一优选实施例，所述第一连接部垂直于所述第二连接部。

根据本发明一优选实施例，所述接地导杆靠近所述基座一端设有限位块。

根据本发明一优选实施例，所述接地导杆远离所述基座一端设有接地座。

根据本发明一优选实施例，所述接地座上设有U型卡槽。

根据本发明一优选实施例，所述接地导杆和中间连接件的材料为6061型铝合金。

根据本发明的上述目的，还提供一种化学气相沉积设备，包括反应室、设于反应室内用于承载基板的基座、以及多个用于基座接地连接的接地结构；

所述接地结构包括沿垂直于所述基座方向设置的接地导杆、及固定于所述基座上且与所述基座电性连接的中间连接件；所述中间连接件远离所述基座一端与所述接地导杆滑动电性连接。

根据本发明一优选实施例，各所述接地结构中的接地导杆均设置于绕所述基座在所述反应室底部投影的周边区域内。