[发明专利]具有良好防水性能的异形晶片轮廓修磨倒角执行机构在审
申请号: | 201910874138.7 | 申请日: | 2019-09-17 |
公开(公告)号: | CN110640572A | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 马世杰;岳军;赵忠志;姜志艳;任云星;苗俊芳;折飞;闫冬 | 申请(专利权)人: | 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) |
主分类号: | B24B9/06 | 分类号: | B24B9/06;B24B41/02;B24B47/12;B24B41/06;B24B55/02;B24B55/00 |
代理公司: | 14106 山西华炬律师事务所 | 代理人: | 陈奇 |
地址: | 030024 *** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 伸缩弹性 皮腔 弹性伸缩 前部 右部 最大程度地 倒角砂轮 防水性能 复合运动 晶片轮廓 左右两侧 挡水伞 冷却水 水渗漏 倒角 晶片 三轴 伞面 修磨 异形 左部 冲刷 马达 精密 封闭 | ||
本发明公开了一种具有良好防水性能的异形晶片轮廓修磨倒角执行机构,解决了如何最大程度地避免冲刷晶片与倒角砂轮冷却水进入到精密执行机构中的问题。在Y向移动平台的前后两侧分别连接前部Y向伸缩弹性皮腔(14)和后部Y向伸缩弹性皮腔(13),在Y向移动平台的左右两侧分别连接左部X向伸缩弹性皮腔(6)和右部X向伸缩弹性皮腔(7),组成一个封闭的挡水伞,由于前部Y向伸缩弹性皮腔和后部Y向伸缩弹性皮腔(13)具有前后弹性伸缩的功能,部X向伸缩弹性皮腔和右部X向伸缩弹性皮腔具有左右弹性伸缩的功能,而DD马达安装在Y向移动平台的下面,从而实现了执行机构在实现XYθ三轴的复合运动时,不会发生伞面水渗漏现象。
技术领域
本发明涉及一种异形晶片轮廓修磨倒角设备,特别涉及一种异形晶片轮廓修磨倒角设备中的执行机构。
背景技术
碲锌镉(CdZnTe)晶体是一种重要的功能晶体材料,由于其具有优异的性能,广泛应用于国防军工、信息、微电子和光电子等尖端技术领域,CdZnTe晶体的另外一个用途是作为红外光学晶体碲镉汞薄膜生长的外延衬底;CdZnTe晶体具有脆性大和硬度低的特性,属于各向异性软脆性功能晶体材料;CdZnTe晶体的生产过程是:先在铸锭炉内培养生长出柱状晶体,然后,沿晶向将柱状晶体切割成片状晶片,由于晶体所生长的晶向不规则,切割得到的片状晶片是多样的和不规则的,需要对得到的片状晶片的尖角及轮廓进行修磨,以防其在后续抛磨工艺中,在片状晶片的尖角处和轮廓边棱处出现应力集中的现象,导致片状晶片在抛磨中碎裂;片状晶片经轮廓修磨和倒角后形成了取料毛坯晶片,在取料毛坯晶片上切割取出产品晶片。
将片状晶片加工成取料毛坯晶片是通过轮廓修磨倒角机上进行的,现有的倒角设备是先对不规则的片状晶片进行轮廓识别,识别出它的最大内接圆直径,并以此为修磨轮廓轨迹;一般是将被修磨的片状晶片吸附在轮廓修磨倒角机上的旋转吸盘上,旋转吸盘是连接在直接驱动电机(DD马达)上,DD马达安装在Y向导轨副上,Y向导轨副又安装在X向导轨副上,使片状晶片能实现XYθ三轴的复合运动,使其外缘轮廓与砂轮接触,实现修磨和倒角,片状晶片在倒角过程中,有冷却液不断的冲刷晶片与倒角砂轮,以达到冷却磨削温度的目的,由于轮廓修磨倒角是一个动态执行过程,而执行该过程的X向导轨副、Y向导轨副和DD马达均属于精密执行机构,如何最大程度地避免冲刷晶片与倒角砂轮冷却水进入到精密执行机构中,使晶片轮廓修磨倒角执行机构具有良好的防水性能,成为保障其正常运行的突出问题。
发明内容
本发明提供了一种具有良好防水性能的异形晶片轮廓修磨倒角执行机构,解决了如何最大程度地避免冲刷晶片与倒角砂轮冷却水进入到精密执行机构中的技术问题。
本发明是通过以下技术方案解决以上技术问题的:
本发明的总体构思是:在Y向移动平台的前后两侧分别连接前部Y向伸缩弹性皮腔和后部Y向伸缩弹性皮腔,在Y向移动平台的左右两侧分别连接左部X向伸缩弹性皮腔和右部X向伸缩弹性皮腔,组成一个封闭的挡水伞,将X向导轨副、Y向导轨副和DD马达遮挡在此伞下方,从而起到防止冷却水进入到这些执行机构中,由于前部Y向伸缩弹性皮腔和后部Y向伸缩弹性皮腔具有前后弹性伸缩的功能,左部X向伸缩弹性皮腔和右部X向伸缩弹性皮腔具有左右弹性伸缩的功能,而DD马达安装在Y向移动平台的下面,从而实现了执行机构在实现XYθ三轴的复合运动时,挡水伞只会发生风箱式皱褶变化,而不会发生伞面水渗漏现象。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所),未经西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910874138.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。