[发明专利]量子点发光二极管与其制造方法有效
| 申请号： | 201910874211.0 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110649170B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 郭明承;张瑶山;陈柏良;蔡进成;萧怡茹;郭雅佩 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人： | 梁挥;郭海彬 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子 发光二极管 与其 制造 方法 | ||
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包含：
一基板；
一阳极电极层，设置于该基板上；
一阴极电极层，设置于该阳极电极层上；
一发光层，设置于该阴极电极层与该阳极电极层之间，其中该发光层包含多个第一粒子；以及
一电子阻挡层，设置于该发光层与该阳极电极层之间，该电子阻挡层包含多个第二粒子，其中该些第一粒子与该些第二粒子为量子点，该些第二粒子的尺寸小于该些第一粒子的尺寸。
2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，该些第一粒子的材料与该些第二粒子的材料实质上相同。
3.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，该电子阻挡层具有多个P型掺杂物。
4.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，该电子阻挡层包含银。
5.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，该些第二粒子的直径为约1纳米至约3纳米。
6.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，该些第一粒子与该些第二粒子为硒化镉。
7.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，该电子阻挡层包含硒化银。
8.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，更包含：
至少一电洞传输层，设置于该阳极电极层与该电子阻挡层之间，该电洞传输层直接接触该电子阻挡层；以及
一电子传输层，设置于该阴极电极层与该发光层之间，该电子传输层直接接触该发光层。
9.一种量子点发光二极管的制造方法，其特征在于，包含：
设置一透明电极于一基板上；
设置一含铬层于该透明电极上；
掺杂多个P型掺杂物于该含铬层中；
设置一发光层于该含铬层上；以及
设置一金属电极于该发光层上。
10.如权利要求9所述的量子点发光二极管的制造方法，其特征在于，更包含：
设置一有机层于该含铬层与该透明电极之间，其中该有机层为多层结构。
11.如权利要求9所述的量子点发光二极管的制造方法，其特征在于，更包含：
设置一金属氧化物层于该金属电极与该含铬层之间，其中该含铬层包含多个量子点，该些量子点的直径为约1纳米至约3纳米。
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