[发明专利]量子点发光二极管与其制造方法

说明书

本发明公开了一种量子点发光二极管，包含基板、阳极电极层、阴极电极层、发光层以及电子阻挡层。阳极电极层设置于基板上。阴极电极层设置于阳极电极层上。发光层设置于阴极电极层与阳极电极层之间，其中发光层包含多个第一粒子。电子阻挡层设置于发光层与阳极电极层之间，电子阻挡层包含多个第二粒子，其中第一粒子与第二粒子为量子点，第二粒子的尺寸小于第一粒子的尺寸。

技术领域

本发明是关于一种量子点发光二极管与其制造方法。

背景技术

在量子点(Quantum dots，QD)发光二极管中，处于非稳定状态的电子在发光层中从最高占据分子轨域(Highest Occupied Molecular Orbital；HOMO)传递到最低未占分子轨域(Lowest Unoccupied Molecular Orbital；LUMO)，从而发射光。由于量子点具有高消光系数(extinction coefficient)和优异的量子产率(quantum yield)，所以量子点可发出强烈的萤光。另外，由于来自量子点的光的波长受量子点的大小控制，所以透过控制量子点的大小可以发射全部可见光。

传统量子点发光二极管难以同时控制电子电洞平衡并将电子保留于发光层中，导致元件放光效率低且元件寿命下降。

发明内容

本发明的实施方式提供一种量子点发光二极管与其制造方法，藉由设置电子阻挡层于发光层与电洞传输层之间，可有效改善电子电洞平衡，且防止电子影响电洞传输层，因此提升了元件效率与元件寿命，使量子点使用稳定性提高。

于部分实施例中，一种量子点发光二极管包含基板、阳极电极层、阴极电极层、发光层以及电子阻挡层。阳极电极层设置于基板上。阴极电极层设置于阳极电极层上。发光层设置于阴极电极层与阳极电极层之间，发光层包含多个第一粒子。电子阻挡层设置于发光层与阳极电极层之间，电子阻挡层包含多个第二粒子，第一粒子与第二粒子为量子点，第二粒子的尺寸小于第一粒子的尺寸。

如于部分实施例中，第一粒子的材料与第二粒子的材料实质上相同。

于部分实施例中，电子阻挡层具有多个P型掺杂物。

于部分实施例中，电子阻挡层包含银。

于部分实施例中，第二粒子的直径为约1纳米至约3纳米。

于部分实施例中，第一粒子与第二粒子为硒化镉。

于部分实施例中，电子阻挡层包含硒化银。

于部分实施例中，量子点发光二极管更包含至少一电洞传输层以及电子传输层。电洞传输层设置于阳极电极层与电子阻挡层之间，电洞传输层直接接触电子阻挡层。电子传输层设置于阴极电极层与发光层之间，电子传输层直接接触发光层。

于部分实施例中，一种量子点发光二极管的制造方法包含设置透明电极于基板上；设置含铬层于透明电极上；掺杂多个P型掺杂物于含铬层中；设置发光层于含铬层上；以及设置金属电极于发光层上。

于部分实施例中，量子点发光二极管的制造方法更包含设置一有机层于含铬层与透明电极之间，其中有机层为多层结构。

于部分实施例中，量子点发光二极管的制造方法更包含设置金属氧化物层于金属电极与含铬层之间，其中含铬层包含多个量子点，量子点的直径为约1纳米至约3纳米。

附图说明

阅读以下详细叙述并搭配对应的图式，可了解本发明的多个样态。需留意的是，图式中的多个特征并未依照该业界领域的标准作法绘制实际比例。事实上，所述的特征的尺寸可以任意的增加或减少以利于讨论的清晰性。

图1A绘示根据本发明的一实施例的量子点发光二极管的剖面图；

图1B绘示根据本发明的另一实施例的量子点发光二极管的剖面图；