[发明专利]微型发光二极管

权利要求书

1.一种微型发光二极管，其特征在于，包含：

第一型半导体层，所述第一型半导体层具有第一表面、第二表面和侧表面，所述第二表面相对于所述第一表面，所述侧表面连接所述第一表面和所述第二表面并延伸于所述第一表面和所述第二表面之间，所述侧表面接触所述第一表面和所述第二表面，所述第一型半导体层包含：

至少一个低阻值部分，在所述第一表面和所述第二表面之间延伸并及于所述第一表面和所述第二表面；以及

扩散型高阻值部分，在所述第一表面和所述第二表面之间延伸并及于所述第一表面和所述第二表面，所述扩散型高阻值部分中的客体材料的浓度在所述第一表面上为常数，所述第一型半导体层中的所述客体材料的浓度从所述扩散型高阻值部分往所述至少一个低阻值部分的方向减少，其中所述第一型半导体层的厚度小于所述至少一个低阻值部分在所述第一表面上的侧向长度的一半，所述至少一个低阻值部分和所述扩散型高阻值部分之间在所述第一表面上形成界面，所述客体材料的浓度从所述界面开始往所述至少一个低阻值部分减少；以及

第二型半导体层，所述第二型半导体层通过所述第二表面与所述第一型半导体层接合。

2.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述至少一个低阻值部分借由所述扩散型高阻值部分与所述第一型半导体层的所述侧表面隔开。

3.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述扩散型高阻值部分包围所述至少一个低阻值部分。

4.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，还包含：

主动层，设置在所述第一型半导体层和所述第二型半导体层之间并接合所述第一型半导体层和所述第二型半导体层，其中所述主动层接触所述第二表面。

5.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，在所述扩散型高阻值部分中的所述客体材料的浓度从所述第一表面往所述第二表面减少。

6.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述至少一个低阻值部分中的所述客体材料具有至少一个局部最小浓度。

7.如权利要求6所述的微型发光二极管，其特征在于，所述至少一个低阻值部分所含有的所述客体材料在所述界面上具有最大浓度。

8.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，还包含第一电极，设置在所述第一型半导体层的所述第一表面上并接触所述至少一个低阻值部分。

9.如权利要求8所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电极覆盖所述至少一个低阻值部分。

10.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，还包含第二电极，设置在所述第二型半导体层上并接触所述第二型半导体层。