[发明专利]微型发光二极管

说明书

本发明公开了一种微型发光二极管，其包含第一型半导体层和第二型半导体层。第一型半导体层包含至少一个低阻值部分和扩散型高阻值部分。低阻值部分在第一型半导体层的第一表面和第二表面之间延伸并及于第一表面和第二表面。扩散型高阻值部分在第一表面和第二表面之间延伸并及于第一表面和第二表面。第一型半导体层的厚度小于低阻值部分在第一表面上的侧向长度的一半。低阻值部分和扩散型高阻值部分之间在第一表面上形成界面。客体材料的浓度从界面开始往低阻值部分减少。第二型半导体层通过第二表面与第一型半导体层接合。本发明所提出的微型发光二极管，使单一个微型发光二极管可用作多个发光二极管，并进行数字控制。

技术领域

本发明涉及一种微型发光二极管，特别是涉及一种具有电流局限结构的微型发光二极管。

背景技术

此处的陈述仅提供与本发明有关的背景信息，而不必然地构成现有技术。

近年来，发光二极管(light-emitting diodes，LED)在一般和商业照明领域的应用都逐渐兴起。举例而言，在一些需用于各种环境条件下的显示器应用中，宽动态范围的LED亮度输出就变得重要。

传统的LED有时因为电流密度太低而在电流密度-电压(J-V)关系中的非线性区域操作。此外，即使这些LED的制造过程变异的误差在可容许的范围内，不同LED中的顺向电压的变异也不在可接受的范围内。因此，控制LED的亮度均匀性并不容易。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，而提出一种改进的微型发光二极管，其单一个微型发光二极管可用作多个发光二极管，并进行数字控制。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。

本发明的一些实施方式公开了一种微型发光二极管，其包含第一型半导体层和第二型半导体层。第一型半导体层具有第一表面、第二表面和侧表面。第二表面相对于第一表面。侧表面连接第一表面和第二表面并延伸于第一表面和第二表面之间。侧表面接触第一表面和第二表面。第一型半导体层包含至少一个低阻值部分和扩散型高阻值部分。低阻值部分在第一表面和第二表面之间延伸并及于第一表面和第二表面。扩散型高阻值部分在第一表面和第二表面之间延伸并及于第一表面和第二表面。扩散型高阻值部分中的客体材料的浓度在第一表面上为常数。第一型半导体层中的客体材料的浓度从扩散型高阻值部分往低阻值部分的方向减少。第一型半导体层的厚度小于低阻值部分在第一表面上的侧向长度的一半。低阻值部分和扩散型高阻值部分之间在第一表面上形成界面。客体材料的浓度从界面开始往低阻值部分降低。第二型半导体层通过第二表面与第一型半导体层接合。

根据本发明的一实施例，低阻值部分借由扩散型高阻值部分与第一型半导体层的侧表面隔开。

根据本发明的一实施例，扩散型高阻值部分包围低阻值部分。

根据本发明的一实施例，微型发光二极管还包含主动层，设置在第一型半导体层和第二型半导体层之间并接合第一型半导体层和第二型半导体层，其中主动层接触第二表面。

根据本发明的一实施例，在扩散型高阻值部分中的客体材料的浓度从第一表面往第二表面减少。

根据本发明的一实施例，低阻值部分中的客体材料具有至少一个局部最小浓度。

根据本发明的一实施例，低阻值部分所含有的客体材料在界面上具有最大浓度。

根据本发明的一实施例，微型发光二极管还包含第一电极，设置在第一型半导体层的第一表面上并接触至少一个低阻值部分。

根据本发明的一实施例，第一电极覆盖至少一个低阻值部分。

根据本发明的一实施例，微型发光二极管还包含第二电极，设置在第二型半导体层上并接触第二型半导体层。