[发明专利]具有微细间距硅穿孔封装的扇出型封装晶片结构及单元

权利要求书

1.一种具有微细间距硅穿孔封装的扇出型封装晶片结构，设置于一基板上，其特征在于，该扇出型封装晶片结构包含有：

一第一封装单元，具有一半导体晶粒以及一硅中介层，该半导体晶粒以及该硅中介层嵌入封装于一封胶体中，该第一封装单元具有彼此相对的一下表面以及一上表面；以及

一第二封装单元，设置于该第一封装单元的该上表面上；

其中该第一封装单元以该下表面设置于该基板上，其中该半导体晶粒的多个接点电连接于该基板上，该第二封装单元的多个接点通过该硅中介层电连接于该基板上。

2.如权利要求1所述的扇出型封装晶片结构，其特征在于，该硅中介层以硅穿孔封装贯穿该第一封装单元，电连接该基板与该第二封装单元。

3.如权利要求1所述的扇出型封装晶片结构，其特征在于，该硅中介层局部设置于该半导体晶粒一侧。

4.如权利要求1所述的扇出型封装晶片结构，其特征在于，该半导体晶粒以及该硅中介层彼此相邻且位于同一封装层中。

5.如权利要求1所述的扇出型封装晶片结构，其特征在于，该硅中介层包含一条或多条连接线路，通过一个或多个对应的接触垫连接该第二封装单元与该基板。

6.如权利要求1所述的扇出型封装晶片结构，其特征在于，该硅中介层于封胶前以硅工艺形成。

7.如权利要求1所述的扇出型封装晶片结构，其特征在于，另包含至少一重布线层，设置于该第一封装单元的该下表面与该基板之间，该至少一重布线层包含多个接触垫，该半导体晶粒的该多个接点以及该第二封装单元的多个接点通过该硅中介层由该多个接触垫电连接于该基板上。

8.一种具有微细间距硅穿孔封装的扇出型封装单元，设置于一基板上，其特征在于，该扇出型封装单元具有一半导体晶粒以及一硅中介层，该半导体晶粒以及该硅中介层嵌入封装于一封胶体中，该扇出型封装单元具有彼此相对的一下表面以及一上表面，该扇出型封装单元以该下表面设置于该基板上，且该半导体晶粒的多个接点电连接于该基板上。

9.如权利要求8所述的扇出型封装单元，其特征在于，一上层封装单元设置于该扇出型封装单元的该上表面上，该上层封装单元的多个接点通过该硅中介层电连接于该基板上。

10.如权利要求9所述的扇出型封装单元，其特征在于，该硅中介层以硅穿孔封装贯穿该扇出型封装单元，电连接该基板与该上层封装单元。

11.如权利要求8所述的扇出型封装单元，其特征在于，该硅中介层局部设置于该半导体晶粒一侧。

12.如权利要求8所述的扇出型封装单元，其特征在于，该半导体晶粒以及该硅中介层彼此相邻且位于同一封装层中。

13.如权利要求8所述的扇出型封装单元，其特征在于，该硅中介层包含一条或多条连接线路。

14.如权利要求8所述的扇出型封装单元，其特征在于，该硅中介层于封胶前以硅工艺形成。

15.如权利要求8所述的扇出型封装单元，其特征在于，另包含至少一重布线层，设置于该下表面与该基板之间，该至少一重布线层包含多个接触垫，该半导体晶粒的该多个接点由该多个接触垫电连接于该基板上。