[发明专利]一种盆花芍药的矮化栽培技术在审

专利信息
申请号: 201910875859.X 申请日: 2019-09-17
公开(公告)号: CN110476766A 公开(公告)日: 2019-11-22
发明(设计)人: 于晓南;董志君;张建军;范永明;朱炜;陈莉祺;程堂仁;张启翔 申请(专利权)人: 北京林业大学
主分类号: A01G22/60 分类号: A01G22/60;A01G24/15;A01G24/28
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 喷施 温室栽培 植物生长延缓剂 观赏性状表现 矮化栽培 操作便利 管理流程 盆栽芍药 园林应用 重要意义 盆栽 植株 盆栽苗 芍药 矮化 盆花 冷藏 观赏 拓展
【权利要求书】:

1.一种盆花芍药的矮化栽培技术,其特征在于,包括如下步骤:

(1)盆栽苗的选择、准备、处理及冷藏;

(2)温室栽培及喷施植物生长延缓剂。

2.根据权利要求1所述的一种盆花芍药的矮化栽培技术,其特征在于,步骤(1)中所述盆栽苗品种为2-5年生分株苗,植株生长健壮,株型紧凑,成花率高,花型端庄,花色艳丽。

3.根据权利要求1或2所述的一种盆花芍药的矮化栽培技术,其特征在于,步骤(1)所述盆栽苗准备、处理,具体为,9-10月份将植株根部掘起、分株,将分株苗浸泡在80%多菌灵800倍液中15分钟进行消毒处理,取出后在阴凉处晾2-3天至根系变软后上盆。

4.根据权利要求3所述的一种盆花芍药的矮化栽培技术,其特征在于,分株时每株保留7-8个芽。

5.根据权利要求1-4所述的一种盆花芍药的矮化栽培技术,其特征在于,选择较深较广的花盆,盆栽基质配比为泥炭:蛭石:珍珠岩=3:1:1,栽培深度为芽顶至基质表面3-4cm。

6.根据权利要求1-5所述的一种盆花芍药的矮化栽培技术,其特征在于,步骤(1)所述盆栽苗的冷藏,具体为,将上述基质干透后的盆栽苗放入冷库进行冷藏,2-4℃,冷藏5周。

7.根据权利要求1-6所述的一种盆花芍药的矮化栽培技术,其特征在于,步骤(2)所述盆栽苗的温室栽培的具体操作为,盆栽苗由冷库移入温室后室温分三个阶段逐步加温;室内光照长度在12小时以上,光照强度为3000-5000lx;温室内空气湿度保持在60%-80%范围内;基质每隔15天左右浇一次透水;以速效肥水溶液进行浇灌,每10天进行一次,直至开花,施肥后及时松土。

8.根据权利要求7所述的一种盆花芍药的矮化栽培技术,其特征在于,所述室内加温的具体操作为,第一阶段,白天12-15℃,晚上7-10℃,处理10天;第二阶段,白天15-20℃,晚上11-14℃,处理15天;第三阶段,白天20-28℃,晚上14-18℃,处理20-25天。

9.根据权利要求1-8所述的一种盆花芍药的矮化栽培技术,其特征在于,步骤(2)所述喷施植物生长延缓剂,具体为,采用叶面喷施,每盆每次500mL,喷施至全部叶片正反面喷湿润而不下滴即可,每隔10天处理一次,共喷施4次;所述喷施待植株长至5-15cm时开始处理。

10.根据权利要求1-9所述的一种盆花芍药的矮化栽培技术,其特征在于,所述生长延缓剂采用300mg/L的多效唑溶液。

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