[发明专利]探针及测试装置在审
申请号: | 201910875885.2 | 申请日: | 2019-09-17 |
公开(公告)号: | CN112526178A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 吴俊杰 | 申请(专利权)人: | 吴俊杰 |
主分类号: | G01R1/073 | 分类号: | G01R1/073 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 周鹤 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 探针 测试 装置 | ||
本发明公开了一种探针及测试装置,用以测试一芯片,其中该探针设置于一测试座的一安装孔中,该探针呈薄片状并以导电材质制成,且包含一基部、一缓冲部及一接触部。该基部是位于该安装孔内且卡合于该测试座上,该缓冲部是位于该安装孔内且由该基部一体向外呈螺旋状延伸,而该接触部是位于该安装孔内并由该缓冲部一体延伸而与该基部互相间隔,且该接触部末端突出于该安装孔外而伸置于测试空间内。该探针一体成型,可以减少阻抗与噪声,并使包含该探针的测试装置降低制造成本并提高组装便利性。
技术领域
本发明是关于一种测试设备,特别是指一种用来测试半导体组件的探针及测试装置。
背景技术
随着半导体技术的进步,对于测试机具精密度的要求大幅提高,在IC测试或是高频测试的情况下测试信号是借由探针的传递,因此当传导信号的探针具有许多接触点时,易产生不连续面而形成阻抗不连续,造成测试信号反射损耗失真,并且过多的接触接点也会使得探针的反应速度较慢,影响测试的正确性。
参阅图1所示,传统测试用探针1是可置换地设置于一测试座100的一探针孔101中,用以电连接一测试接点A以及一收讯接点B。该测试用探针1包括一穿设于该探针孔101的壳体件11、一上接触件12、一下接触件13,及一弹性组件14。该壳体件11具有一中空的底壁111、一由该底壁111向上延伸的围绕壁112、一连接该围绕壁112顶端的顶壁113,及一由该底壁111与围绕壁112及顶壁113所界定的穿孔114。
其中,该上接触件12是可上下移动地设置于该壳体件11的穿孔114上半部,并具有一抵靠部121、一由该抵靠部121向下延伸的连接部122,及一由该抵靠部121向上延伸并穿过该顶壁113的接触部123。该下接触件13是可上下移动地设置于该壳体件11的穿孔114下半部,并具有一抵靠部131、一由该抵靠部131向上延伸的连接部132,及一由该抵靠部131向下延伸并穿过该底壁111的接触部133。该弹性组件14是可压缩形变地设置于该穿孔114内,且两端分别连接该上接触件12的连接部122及该下接触件13的连接部132,并用于因应该测试接点A及该收讯接点B的间距缓冲调变该上接触件12与该下接触件13之间的距离。
参阅图2所示,使用时,将该测试座100设置于该收讯接点B上方,且使该下接触件13的接触部133接触该收讯接点B,并使该测试接点A接触该上接触件12的接触部123,依据该测试接点A及该收讯接点B的间距,该上接触件12与该下接触件13相配合压缩该弹性组件14,也使得该上接触件12的接触部123及该下接触件13的接触部133同时偏斜抵靠该壳体件11,而让该测试接点A、该上接触件12、该壳体件11、该下接触件13及该收讯接点B形成电通路。
但是由于使用时,该上接触件12、该下接触件13及该弹性组件14是抵靠着该壳体件11运动,只依靠该上接触件12的接触部123及该下接触件13的接触部133同时偏斜抵靠该壳体件11形成电导通,彼此间实际接触面积并不大,且较多的接触点会使信号传输时的阻抗加大,在IC测试时容易产生噪声导致误判,而不利半导体测试,不仅信号传输速度无法有效提升,也会因为组件表面互相摩擦而刮落的颗粒沉积于该壳体件11内,影响信息传递的正确性。
再者,由于该上接触件12及该下接触件13采用尖端形式设计,在与测试接点A及该收讯接点B接触时会刮伤接触点,即俗称的刮板,不仅对测试设备及零件的损耗较大,不利测试制程工业化量产,也会提高生产成本。
发明内容
因此,本发明的目的,即在于提供一种解决上述问题的探针。
本发明的探针设置于一测试座的一安装孔中,该测试座具有用以容置一芯片的一测试空间,该安装孔连通于该测试空间,该探针是呈薄片状并以导电材质制成,且包含一基部、一缓冲部,及一接触部。该基部是位于该安装孔内且卡合于该测试座上,该缓冲部是位于该安装孔内且由该基部一体向外呈螺旋状延伸,而该接触部是位于该安装孔内并由该缓冲部一体延伸而与该基部互相间隔,且该接触部末端突出于该安装孔外而伸置于该测试空间内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吴俊杰,未经吴俊杰许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910875885.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种加氢处理催化剂的制备方法
- 下一篇:一种瑞舒伐他汀钙中间体的制备方法