[发明专利]晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法

权利要求书

1.一种晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，其特征在于，

作为半导体制造用沉积装置的管结构，包括：

碳化硅管，向安装在内部的半导体晶片上供应硅气体以沉积硅；

石英管，相比于所述碳化硅管具有更宽的口径，并且围绕所述碳化硅管，以与所述碳化硅管之间的配置有空间；

第一及第二门部，配置在所述碳化硅管与石英管的两端，至少可开关一端，并且密封地封闭所述两端；

硅烷气体供应管，配置在所述第一门部的一侧向碳化硅管内部供应硅烷气体；

氮气体供应管，配置在所述第一门部的另一侧，至少向所述碳化硅管和石英管之间供应氮气体；

其中，通过所述氮气体供应管供应的氮气体进入所述碳化硅和石英管之间的空间向碳化硅管内部流动。

2.根据权利要求1所述的晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，其特征在于，

所述氮气体不仅供应于所述碳化硅管和石英管之间，也供应于石英管内部。

3.根据权利要求2所述的晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，其特征在于，

在所述氮气体供应于石英管内部时，使所述氮气体以与硅气体流动方向相反的方向流动，以防止硅气体流向石英管。

4.根据权利要求2所述的晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，其特征在于，

所述氮气体在供应硅烷气体时至少以500～1500cc/min的每单位时间流量供应。

5.根据权利要求1所述的晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，其特征在于，

在所述氮气体中流动于碳化硅管和石英管之间的氮气体通过与石英管连通构成的门部和碳化硅管之间缝隙供应到石英管，并且与沉积工艺之后的剩余硅烷气体一同排放到外部。

6.根据权利要求1所述的晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，其特征在于，

所述氮气体供应管的端部与分支管连接，在所述分支管的各个端部至少连接两个喷嘴，所述喷嘴中的一个朝向碳化硅管和石英管之间，而另一个朝向碳化硅管内部配置。