[发明专利]晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法

说明书

本发明涉及晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，更详细地说提供一种晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，在构成半导体沉积装置的一结构的管系统中使氮气体流动于碳化硅管和石英管之间，以防止向碳化硅管内供应的硅烷气体与石英管接触，从而能够抑制因为石英管与硅烷气体接触导致石英管相变出现降低耐久性的现象。

技术领域

本发明涉及晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，更详细地说提供一种晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，在构成半导体沉积装置的一结构的管系统中使氮气体流动于碳化硅管和石英管之间，以防止向碳化硅管内供应的硅烷气体与石英管接触，从而能够抑制因为石英管与硅烷气体接触导致石英管相变出现降低耐久性的现象。

背景技术

沉积(Deposition)是指在半导体晶片上沉积薄膜厚度的所需分子或原子单位的材料以具有电性质的一连的过程。其中，化学气相沉积方法(CVD)是以赋予外部能量的蒸汽形态喷射通过气体的化学反应形成的粒子的方法，是在导体、绝缘体和半导体的薄膜沉积中都可使用的技术。尤其是，LPCVD(Low Pressure CVD)是使腔室的真空度处于低压，通过高温的热能诱导反应，作为通过施加比APCVD更低的压力制作薄膜(thin film)的方式，主要使用于形成用作tr栅极层的薄膜的情况。在LPCVD的情况下，由于能够一次性处理大量的晶片，因此具有很大的优势。而且，台阶覆盖(step coverage)的特性优秀。但是，沉积速度慢，而且因为高温工艺，容易出现构成产品的劣化。

另外，为了在晶片形成硅膜，使硅烷气体流动，在晶片表面沉积硅膜，此时，最初注入于碳化硅管的硅烷气体从碳化硅管流出通过碳化硅管和开关管的门部之间的缝隙流入石英管内部表面，进而硅不仅沉积于晶片表面，也沉积于碳化硅管和石英管的表面。

此时，碳化硅管不仅相变少而且可分离，因此在工艺之后执行清洗，进而可防止因为硅沉积产生的劣化，但是在石英管的情况下，难以分开清洗，而且在反复的沉积过程中出现石英的相变，因此显著降低石英管的耐久性，从而石英管破裂，石英成分作为杂质混入晶片，或者在沉积过程中也可发生石英管破损的事故。

因此，需要每隔预定时期更换石英管，通常以2个月为周期进行更换，但是石英管价格非常高，因此存在维护成分大幅度提高的问题。

因此，为了防止硅烷气体与石英管的接触，也考虑了密封石英管与碳化硅管之间的空间的方案，但是存在如下的问题：难以完全密封，而且很难找到可以密封的同时耐高温的材料，尤其是很难得出能够实现反复密封及解除密封的方法。

现有技术文献

专利文献

韩国授权专利第10-1389845号

韩国公开专利第10-2003-0090726号

发明内容

发明所要解决的问题

本发明是为了解决上述的问题而提出的，本发明的目的在于，使氮气体流动于碳化硅管和石英管之间的空间，从根本上阻断石英管和硅烷气体的接触，进而防止石英管变性，以延长石英管的使用年限。

另外，本发明的另一目的在于，使硅烷气体只在碳化硅管内部流动，进而使更多量的硅烷气体利用于晶片沉积，由此提高硅烷气体的利用效率。

用于解决问题的方案