[发明专利]多集成电路缓存的图像传感器、成像方法以及多集成电路成像设备有效
申请号: | 201910877287.9 | 申请日: | 2019-09-17 |
公开(公告)号: | CN110913155B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 丁台衡;柳勋;杨征;尹贤洙;陈家明 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/378 | 分类号: | H04N5/378;H04N9/04 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋融冰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 缓存 图像传感器 成像 方法 以及 设备 | ||
1.一种多集成电路IC缓存的图像传感器,包括:
第一IC,进一步包括像素阵列,所述像素阵列被划分为多个像素子阵列,每个像素子阵列还包括选择晶体管,每个像素子阵列经由裸片间接合耦接到多个模数转换器ADC中的分离的模数转换器以提供模拟像素数据,所述多个模数转换器位于第二IC上;
第二IC,进一步包括逻辑晶体管,所述ADC具有通过硅通孔经由裸片间接合耦接到第三IC的输出,所述第二IC整合有图像处理电路,所述图像处理电路被适配为执行颜色处理和至少图像压缩;
第三IC,进一步包括动态随机存取存储器DRAM,所述DRAM被耦接以接收来自所述第二IC上的ADC的图像数据并将所述图像数据缓存在所述DRAM中以及将图像数据提供到所述第二IC上的图像处理电路;
第三IC进一步包括一次性可编程OTP存储器,所述OTP存储器被配置为将坏单元图提供到所述DRAM以及将缓存的坏像素数据提供到所述第二IC上的图像处理电路。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其中,对于每个ADC输出存在到所述第三IC的多个裸片间接合,以及对于每个ADC输入存在到所述第一IC的单个裸片间接合。
3.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述DRAM对来自各ADC的数据进行缓存。
4.如权利要求3所述的图像传感器,其中所述DRAM缓存被配置为多图像缓存。
5.如权利要求4所述的图像传感器,还包括在所述第三IC内的压缩图像缓存器。
6.如权利要求5所述的图像传感器,其中所述压缩图像缓存器是使用DRAM单元实现的。
7.如权利要求4所述的图像传感器,所述第二IC整合有一次性可编程OTP存储器单元,所述OTP存储器单元被耦接以影响所述第二IC和所述第三IC的操作。
8.如权利要求7所述的图像传感器,其中所述第三IC还包括寄存器,所述寄存器缓存所述OTP存储器单元的输出。
9.如权利要求7所述的图像传感器,其中所述第三IC还包括静态随机存取存储器SRAM。
10.一种成像方法,包括:
在阵列像素IC上接收图像,所述阵列像素IC具有被划分为多个像素子阵列的像素阵列;
捕获图像作为所述像素子阵列的像素中的图像数据,其中每个像素子阵列经由至少一个裸片间接合耦接到多个模数转换器中的分离的、相关联的模数转换器,所述多个模数转换器位于逻辑IC上;
扫描所述像素子阵列,并将来自所述像素子阵列的像素的所述图像数据读入所述相关联的模数转换器,以及将所述图像数据转换为数字图像数据;
读取与所述阵列像素IC和所述逻辑IC分离的DRAM IC上的一次性可编程OTP存储器,以确定在所述DRAM IC上的动态随机存取存储器DRAM中的坏单元的映射;
经由裸片间接合传送所述数字图像数据,以及将所述数字图像数据缓存在所述DRAM中;
读取所述OTP存储器,并缓存来自所述DRAM IC上的OTP存储器的数据,以获取所述阵列像素IC上的像素阵列中的坏像素的映射,以及将所述坏像素的映射提供到所述逻辑IC上的图像处理电路;以及
经由裸片间接合将来自所述DRAM IC上的DRAM的数字图像数据读入所述逻辑IC上的图像处理电路中,并执行图像处理。
11.如权利要求10所述的方法,还包括:
测试所述阵列像素IC以确定所述坏像素的映射;
将所述坏像素的信息编程到所述一次性可编程OTP存储器中;以及
在颜色处理期间使用所述坏像素的信息。
12.如权利要求11所述的方法,还包括经由裸片间接合传送所述坏像素的信息。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于豪威科技股份有限公司,未经豪威科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910877287.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。