[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，包含：

平面视大致四边形的半导体层；

控制焊盘，为了与外部的电连接而形成在所述半导体层的表面上；

指状物，与所述控制焊盘电连接并且划分规定的区域；

多个晶体管单元，在所述半导体层中在由所述指状物划分的区域中排列，由来自所述控制焊盘的控制电压进行接通/关断控制；

控制电极，与在接通时形成沟道的所述晶体管单元的沟道区域相对；以及

内置电阻，与所述控制焊盘以及所述指状物相比被配置在所述半导体层侧，将所述控制焊盘和所述指状物电连接，由具有与所述指状物相同或比其大的电阻值的材料构成，

所述控制焊盘以在平面视中周围被空间所包围的方式独立地形成，

所述指状物包含空开间隔地包围所述控制焊盘的周围的焊盘周边部，

所述内置电阻经由层间膜被配置于所述控制焊盘以及所述焊盘周边部的所述半导体层侧区域，

所述内置电阻以跨越所述控制焊盘和所述焊盘周边部的方式被配置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体层是SiC半导体层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述内置电阻由Al、AlCu以及Cu中的任意一种构成。

4.一种半导体装置，其中，包含：

平面视大致四边形的半导体层；

控制焊盘，为了与外部的电连接而形成在所述半导体层的表面上；

指状物，与所述控制焊盘电连接并且划分规定的区域；

多个晶体管单元，在所述半导体层中在由所述指状物划分的区域中排列，由来自所述控制焊盘的控制电压进行接通/关断控制；

控制电极，与在接通时形成沟道的所述晶体管单元的沟道区域相对；以及

内置电阻，与所述控制焊盘以及所述指状物相比被配置在所述半导体层侧，将所述控制焊盘和所述指状物电连接，由具有与所述指状物相同或比其大的电阻值的材料构成，

所述控制焊盘以在平面视中周围被空间所包围的方式独立地形成，

所述内置电阻经由层间膜被配置于所述控制焊盘的所述半导体层侧，

所述内置电阻以在从所述半导体层的法线方向观察的平面视中彼此具有对称性的方式配置多个。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述内置电阻有选择地被配置在所述控制焊盘的所述半导体层侧，

在所述控制焊盘的所述半导体层侧在未配置有所述内置电阻的第一区域中埋设有所述层间膜。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

还包含被配置在所述内置电阻与所述半导体层之间的绝缘膜，

在所述第一区域中，由所述绝缘膜的延长部构成的膜被配置在所述层间膜与所述半导体层之间。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

在所述半导体层中，在以夹着所述绝缘膜的方式与所述内置电阻相对的区域中有选择地形成有具有1×10¹⁹cm^-3以下的浓度的杂质区域。

8.根据权利要求1或4所述的半导体装置，其中，

在所述控制焊盘的表面有选择地形成有连接焊线的线区域，

所述内置电阻在从所述半导体层的法线方向观察的平面视中被有选择地配置于回避了所述线区域的区域，

所述晶体管单元是MOSFET或IGBT结构，在所述晶体管单元的上方和所述半导体层的背面侧分别具有电极。