[发明专利]发光组件以及发光组件的制造方法有效
| 申请号： | 201910880386.2 | 申请日： | 2016-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN110534625B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 石崎顺也;古屋翔吾 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 组件 以及 制造 方法 | ||
1.一种发光组件，具有一窗层兼支持基板及设置于该窗层兼支持基板的表面上的发光部，该发光部依序包含有至少包含Al的第二导电型的第二半导体层、活性层及第一导电型的第一半导体层，其中
该发光组件具有经除去该发光部的除去部、该除去部以外的非除去部、设置于该非除去部的该第一半导体层的表面上的第一欧姆电极、以及设置于该除去部的该窗层兼支持基板的表面上的第二欧姆电极，
该第一半导体层的表面以及该发光部的侧面的至少一部分以绝缘保护膜所覆盖，
该第一半导体层的表面上的该第一欧姆电极的形成部以外、该窗层兼支持基板的表面上的该除去部中的该第二欧姆电极的形成部以外、以及该窗层兼支持基板的侧面及内面经表面粗糙化，该发光部的侧面未经表面粗糙化，
且使该发光部为AlGaInP系，使该窗层兼支承基板为GaAsP系。
2.如权利要求1所述的发光组件，其中
该第一半导体层由至少二层以上的结构所构成，经施以表面粗糙化处理侧的层在与活性层侧的层相比，由Al成分较少的材料所构成。
3.如权利要求2所述的发光组件，其中
该第一半导体层的经施以表面粗糙化处理侧的层由(AlxGal-x)yIn1-yP所构成，其中0≦x＜0.6、0.4≦y≦0.6，或是由AlzGal-zAs所构成，其中0≦z≦0.3；以及
该第一半导体层的活性层侧的层由(AlxGal-x)yIn1-yP所构成，其中0.6≦x≦1、0.4≦y≦0.6，或是由AlzGal-zAs所构成，其中0.3＜z≦1。
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