[发明专利]发光组件以及发光组件的制造方法

说明书

本发明提供一种发光组件，具有经除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层的表面上的一第一欧姆电极、以及设置于除去部的窗层兼支持基板的表面上的一第二欧姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部分以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面上的第一欧姆电极的形成部以外、窗层兼支持基板的表面上除去部中的第二欧姆电极的形成部以外、以及窗层兼支持基板的侧面及内面经表面粗糙化。因此，能以对发光部与窗层兼支持基板的较多的区域予以表面粗糙化来提升发光组件的外部量子效率。

本申请是2016年8月15日在中国提交的发明名称为“发光组件以及发光组件的制造方法”(申请号：201680037656.8)的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种发光组件以及发光组件的制造方法，特别是关于在基板上通过磊晶成长而形成一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及一窗层兼支持基板并在除去基板后经形成电极的发光组件施以表面粗糙化处理的发光组件以及其制造方法。

背景技术

将发光组件芯片予以封装之时，以往于封装体设置反射膜而于其底部安装芯片，并以朝向与安装所使用的粘着剂的相反侧(芯片上方)取出光作为前提而完成芯片设计。

因此，现有技术中，提案有：只在芯片上方或是下方这一类光取出方向实施表面粗糙化(磨砂(frost)、凹凸形状)。此种类型的状况，以非光取出面所反射出的光在自光取出面发出光之前而必定通过活性层重复多次的多重反射。由于活性层为发光层也同时是光吸收层，因此重复多重反射的发光组件在原理上并无法提升其光取出效率(外部量子效率)。因此在理想的情况下预先在发光组件全面上实施表面粗糙化处理对于外部量子效率的提升来说是重要的。

作为AlGaInP系材料的表面粗糙化处理的习知技术，专利文献1中揭示有于披覆层表面通过反应速度慢的RIE法而形成粗糙面的方法。湿式法对于披覆层来说蚀刻速度太快，因此难以表面粗糙化。因此，在所揭示的技术中只有使用RIE(ICP)。专利文献2中揭示有通过微影法而形成光阻图案，且使用湿式蚀刻的方法。此方法中，由于进行蚀刻的区域限定于光阻开口部，因此容易控制蚀刻速度。

但是，以黄色～红色发光的发光组件中，比较普通的是以AlGaInP系材料组成发光部，并以GaAsP系材料组成窗层部。GaAsP对于湿蚀刻来说是难以蚀刻的材料，AlGaInP为容易蚀刻的材料。因此，一般能对AlGaInP系发光部进行湿蚀刻的材料无法对GaAsP系窗层进行蚀刻，而一般能对GaAsP系窗层进行湿蚀刻的蚀刻材料则会对AlGaInP系发光部过度蚀刻。另外，虽于专利文献3中揭示有只对GaAsP系实施粗糙化，而不会蚀刻AlGaInP系的方法，但以所揭示的方法并不能同时对发光部与窗层表面粗糙化。因此，以往对AlGaInP系发光部与GaAsP系窗层的双方实施表面粗糙化是困难的。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2010-251531号公报

[专利文献2]日本特许第5245529号

[专利文献2]日本特许第4154731号

发明内容

有鉴于上述问题点，本发明的目的为提供一种发光组件，于具有发光部与窗层兼支持基板的发光组件中，能以将发光部与窗层兼支持基板的较多的区域予以表面粗糙化来提升发光组件的外部量子效率。