[发明专利]制造垂直存储器装置的方法

权利要求书

1.一种制造垂直存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：

在基底上形成第一牺牲层，第一牺牲层包括第一绝缘材料；

形成包括绝缘层和第二牺牲层的模制体，绝缘层和第二牺牲层交替地且重复地堆叠在第一牺牲层上，绝缘层和第二牺牲层分别包括与第一绝缘材料不同的第二绝缘材料和第三绝缘材料；

穿过模制体和第一牺牲层形成沟道；

穿过模制体和第一牺牲层形成开口以暴露基底的上表面；

通过开口去除第一牺牲层以形成第一间隙；

形成沟道连接图案以填充第一间隙；以及

用栅电极替换第二牺牲层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，第一绝缘材料包括氧化锗或掺杂有锗的氧化硅。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，第二绝缘材料包括氧化物，并且第三绝缘材料包括氮化物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成沟道连接图案的步骤包括：

形成沟道连接层以填充第一间隙并覆盖开口的侧壁；以及

去除沟道连接层的在开口中的部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，沟道连接图案包括掺杂有杂质的多晶硅。

6.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

形成覆盖沟道的外侧壁的电荷存储结构；以及

在去除第一牺牲层之后，去除电荷存储结构的被第一间隙暴露的部分。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，电荷存储结构包括顺序地堆叠在沟道的外侧壁上的隧道绝缘图案、电荷存储图案和阻挡图案。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，隧道绝缘图案和阻挡图案包括氧化硅，并且电荷存储图案包括氮化硅。

9.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：形成具有上表面的支撑图案，所述上表面与第一牺牲层的上表面基本共面，支撑图案包括与第一绝缘材料不同的材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，支撑图案包括未掺杂的多晶硅。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，当去除第一牺牲层时，不去除支撑图案。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，开口至少部分地暴露支撑图案的上表面。

13.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括：在形成模制体之前，在第一牺牲层和支撑图案上形成支撑层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，支撑层包括未掺杂的多晶硅。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，用栅电极替换第二牺牲层的步骤包括：

通过开口去除第二牺牲层以形成第二间隙；以及

形成栅电极以填充第二间隙。

16.一种制造垂直存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：

在基底上形成第一牺牲层；

形成包括绝缘层和第二牺牲层的模制体，绝缘层和第二牺牲层交替地且重复地堆叠在第一牺牲层上；

穿过模制体和第一牺牲层形成沟道；

穿过模制体和第一牺牲层形成开口以暴露基底的上表面；

通过开口去除第一牺牲层以形成间隙；

形成沟道连接图案以填充间隙；以及

用栅电极替换第二牺牲层，

其中，第一牺牲层相对于绝缘层的蚀刻选择性大于第二牺牲层相对于绝缘层的蚀刻选择性。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，第一牺牲层包括氧化锗或掺杂有锗的氧化硅，绝缘层包括氧化硅，并且第二牺牲层包括氮化硅。