[发明专利]制造垂直存储器装置的方法

说明书

公开了一种制造垂直存储器装置的方法，该方法包括：在基底上形成第一牺牲层，第一牺牲层包括第一绝缘材料；形成包括绝缘层和第二牺牲层的模制体，绝缘层和第二牺牲层交替地且重复地堆叠在第一牺牲层上，绝缘层和第二牺牲层分别包括与第一绝缘材料不同的第二绝缘材料和第三绝缘材料；穿过模制体和第一牺牲层形成沟道；穿过模制体和第一牺牲层形成开口以暴露基底的上表面；通过开口去除第一牺牲层以形成第一间隙；形成沟道连接图案以填充第一间隙；以及用栅电极替换第二牺牲层。

于2018年10月29日在韩国知识产权局提交的名称为“Methods of Manufacturinga Vertical Memory Device(制造垂直存储器装置的方法)”的第10-2018-0130092号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及一种制造垂直存储器装置的方法。

背景技术

在VNAND快闪存储器装置的制造过程中，为了将沟道连接到基底，可以穿过模制体形成沟道孔以暴露基底的上表面，可以使用基底的暴露的上表面作为种子执行选择性外延生长(SEG)工艺以形成半导体图案，并且可以在半导体图案上形成沟道。然而，半导体图案的特性会具有根据其高度的分布。另外，在其中电路图案形成在存储器单元阵列下方的COP结构中，可以在电路图案上方使用多晶硅层执行SEG工艺，并且因此，形成具有均匀特性的半导体图案是不容易的。

发明内容

根据实施例的一方面，提供了一种制造垂直存储器装置的方法。在该方法中，可以在基底上形成包括第一绝缘材料的第一牺牲层。可以形成包括绝缘层和第二牺牲层的模制体，绝缘层和第二牺牲层分别包括与第一绝缘材料不同的第二绝缘材料和第三绝缘材料，绝缘层和第二牺牲层交替地且重复地堆叠在第一牺牲层上。可以穿过模制体和第一牺牲层形成沟道。可以穿过模制体和第一牺牲层形成开口以暴露基底的上表面。可以通过开口去除第一牺牲层以形成第一间隙。可以形成沟道连接图案以填充第一间隙。可以用栅电极替换第二牺牲层。

根据实施例的一方面，提供了一种制造垂直存储器装置的方法。在该方法中，可以在基底上形成第一牺牲层。可以在第一牺牲层上形成包括绝缘层和第二牺牲层的模制体，绝缘层和第二牺牲层交替地且重复地堆叠。可以穿过模制体和第一牺牲层形成沟道。可以穿过模制体和第一牺牲层形成开口以暴露基底的上表面。可以通过开口去除第一牺牲层以形成间隙。可以形成沟道连接图案以填充间隙。可以用栅电极替换第二牺牲层。第一牺牲层相对于绝缘层的蚀刻选择性可以大于第二牺牲层相对于绝缘层的蚀刻选择性。

根据实施例的一方面，提供了一种制造垂直存储器装置的方法。在该方法中，可以在基底上形成包括第一氧化物的第一牺牲层。可以在第一牺牲层上形成包括绝缘层和第二牺牲层的模制体，绝缘层和第二牺牲层分别包括第二氧化物和氮化物，绝缘层和第二牺牲层交替地且重复地堆叠。可以穿过模制体和第一牺牲层形成沟道。可以穿过模制体和第一牺牲层形成开口以暴露基底的上表面。可以通过开口去除第一牺牲层以形成间隙。可以形成沟道连接图案以填充间隙。可以用栅电极替换第二牺牲层。

根据实施例的一方面，提供了一种制造垂直存储器装置的方法。在该方法中，可以在基底上形成电路图案。可以在电路图案上形成基体图案。可以在基体图案上形成包括第一绝缘材料的第一牺牲层。可以在第一牺牲层上形成包括绝缘层和第二牺牲层的模制体，绝缘层和第二牺牲层分别包括与第一绝缘材料不同的第二绝缘材料和第三绝缘材料，绝缘层和第二牺牲层交替地且重复地堆叠。可以穿过模制体和第一牺牲层形成沟道。可以穿过模制体和第一牺牲层形成开口以暴露基体图案的上表面。可以通过开口去除第一牺牲层以形成第一间隙。可以形成沟道连接图案以填充第一间隙。可以用栅电极替换第二牺牲层。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，对于本领域技术人员而言，特征将变得明显，在附图中：

图1至图16示出了根据示例实施例的制造垂直存储器装置的方法中的阶段的平面图和剖视图；并且