[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910884563.4 | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN110610972B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 梁永民;简月圆 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 王云红;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在基底上形成控制结构层;
在所述控制结构层上形成第一平坦层;
在所述第一平坦层上形成支撑结构,所述支撑结构的材质包括负性光敏聚合物;
在形成所述支撑结构的第一平坦层上形成包覆所述支撑结构的保护层;
在所述保护层上形成第二平坦层;
在所述第二平坦层上形成第一电极,所述第一电极穿过所述第二平坦层、所述保护层和所述第一平坦层与所述控制结构层电连接;
在形成有所述第一电极的所述第二平坦层上形成像素界定层,所述像素界定层在所述支撑结构位置的上表面高于其它位置的上表面。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在基底上形成控制结构层包括:
在基底上形成有源层和栅电极;
在形成有所述有源层和所述栅电极的基底上形成源电极和漏电极,所述源电极和漏电极分别与所述有源层电连接。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述保护层上形成第二平坦层,包括:
在所述保护层上形成中间金属层,所述中间金属层穿过所述保护层和所述第一平坦层与所述控制结构层电连接;
在形成所述中间金属层的基底上形成第二平坦层,所述第二平坦层上开设有暴露所述中间金属层的第四过孔,所述第一电极通过所述第四过孔与所述中间金属层电连接。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一平坦层的材质包括正性聚酰亚胺。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
所述像素界定层上开设有暴露所述第一电极的子像素开口;
通过蒸镀工艺在所述子像素开口形成发光层。
6.一种显示基板,其特征在于,包括:
基底;
控制结构层,设置在所述基底上;
第一平坦层,设置在所述控制结构层上;
支撑结构,设置在所述第一平坦层上,所述支撑结构的材质包括负性光敏聚合物;
保护层,设置在形成有所述支撑结构的第一平坦层上,所述保护层包覆所述支撑结构;
第二平坦层,设置在所述保护层上,以及,
第一电极,设置在所述第二平坦层上,所述第一电极穿过所述第二平坦层、所述保护层和所述第一平坦层与所述控制结构层电连接;
像素界定层,设置在设有第一电极的所述第二平坦层上,所述像素界定层在所述支撑结构位置的上表面高于其它位置的上表面。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述支撑结构在垂直于所述基底方向上的截面呈倒梯形,所述支撑结构的背离所述基底一侧的顶边的宽度大于朝向所述基底一侧的底边的宽度。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述支撑结构的侧面与所述支撑结构的朝向所述基底一侧的底面之间的角度为90°~130°。
9.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述支撑结构在垂直于所述基底方向上的尺寸为1.0μm~1.5μm。
10.根据权利要求6~9中任意一项所述的显示基板,所述保护层的厚度为3000埃~5000埃。
11.根据权利要求6~9中任意一项所述的显示基板,其特征在于,所述第一平坦层的材质包括正性聚酰亚胺。
12.根据权利要求6~9中任意一项所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括设置在所述保护层与所述第二平坦层之间的中间金属层,所述中间金属层穿过所述保护层和所述第一平坦层与所述控制结构层电连接,所述第一电极穿过所述第二平坦层与所述中间金属层电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的