[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910884563.4 | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN110610972B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 梁永民;简月圆 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 王云红;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板的制备方法包括:在基底上形成控制结构层;在控制结构层上形成第一平坦层;在第一平坦层上形成支撑结构,支撑结构的材质包括负性光敏聚合物;在形成支撑结构的第一平坦层上形成包覆支撑结构的保护层;在保护层上形成第二平坦层;在第二平坦层上形成第一电极,第一电极穿过第二平坦层、保护层和第一平坦层与控制结构层电连接。该方法,形成了包覆支撑结构的保护层,杜绝了水汽通过支撑结构侵入,有效隔绝了水汽,避免了后续形成的发光层被腐蚀的问题,另外,第一电极在保护层之后形成,从而形成保护层的过程不会对第一电极产生影响,保证了显示基板的显示性能。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示 装置。
背景技术
在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)蒸镀过程中, 为了使得掩膜板与基板之间保持一定的距离,通常需要在待蒸镀基板上设置 支撑结构,以保持掩膜板与基板之间的距离。
制作支撑结构经常应用到的两种材料包括正性胶(例如,正性光刻胶) 和负性胶(例如,负性光刻胶),正性光刻胶是高分子聚合物,负性光刻胶 是小分子成分。相较于采用正性光刻胶制作的支撑结构,采用负性光刻胶制 作的支撑结构对掩膜板的支撑效果更好。但是,负性光刻胶是小分子成分, 其致密性没有正性光刻胶好,而且负性光刻胶的吸水性和透气性也很高,因 此,当采用负性光刻胶制作支撑结构时,虽然提高了支撑效果,但不能有效 隔绝水汽,导致发光层易被腐蚀,影响发光器件的寿命。
发明内容
本发明实施例的目的是,提供一种显示基板及其制备方法、显示装置, 以避免水汽通过支撑结构侵入显示基板内部。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供一种显示基板的制备方法, 包括:
在基底上形成控制结构层;
在所述控制结构层上形成第一平坦层;
在所述第一平坦层上形成支撑结构,所述支撑结构的材质包括负性光敏 聚合物;
在形成所述支撑结构的第一平坦层上形成包覆所述支撑结构的保护层;
在所述保护层上形成第二平坦层;
在所述第二平坦层上形成第一电极,所述第一电极穿过所述第二平坦层、 所述保护层和所述第一平坦层与所述控制结构层电连接。
可选地,所述在基底上形成控制结构层包括:
在基底上形成有源层和栅电极;
在形成有所述有源层和所述栅电极的基底上形成源电极和漏电极,所述 源电极和漏电极分别与所述有源层电连接。
可选地,所述在所述保护层上形成第二平坦层,包括:
在所述保护层上形成中间金属层,所述中间金属层穿过所述保护层和所 述第一平坦层与所述控制结构层电连接;
在形成所述中间金属层的基底上形成第二平坦层,所述第二平坦层上开 设有暴露所述中间金属层的第四过孔,所述第一电极通过所述第四过孔与所 述中间金属层电连接。
可选地,所述第一平坦层的材质包括正性聚酰亚胺。
可选地,所述方法还包括:
在所述第一电极上形成像素界定层,所述像素界定层上开设有暴露所述 第一电极的子像素开口;
通过蒸镀工艺在所述子像素开口形成发光层。
为了解决上述技术问题,本发明实施例还提供一种显示基板,包括:
基底;
控制结构层,设置在所述基底上;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910884563.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子设备和电子设备的控制方法
- 下一篇:一种显示面板和显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的