[发明专利]一种晶圆蚀刻槽在审
| 申请号： | 201910884889.7 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN110739247A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 李杰;葛林海;赵建龙;王利强;丁高生 | 申请（专利权）人： | 上海提牛机电设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 31105 上海智力专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 周涛 |
| 地址： | 201405 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内槽 晶舟 外槽 晶圆 长方壳体 上部开口 氢氟酸 蚀刻槽 基板 连通 蚀刻 底部开孔 基板固定 强腐蚀性 外部连通 外槽侧壁 一端设置 支撑面 浸没 开孔 耐受 种晶 开口 承载 安置 支撑 | ||
1.一种晶圆蚀刻槽，其特征在于，所述蚀刻槽包括：
基座（1）；
基板（2），所述基板（2）固定连接在所述基座（1）上，所述基板（2）形成水平的支撑面；
外槽（3），所述外槽（3）为上部开口的长方壳体，所述外槽（3）的底部安置在所述支撑面上，所述外槽（3）侧壁的下方开孔且与第一管路的一端连通；
内槽（4），所述内槽（4）为上部开口的长方壳体，所述内槽（4）设置在所述外槽（3）内，所述第一管路的另一端设置在所述内槽（4）上方，所述内槽（4）的底部开孔并与第二管路的一端连通，所述第二管路的另一端与外部连通；以及
晶舟（5），所述晶舟（5）内承载有多个晶圆，所述晶舟（5）设置在所述内槽（4）内；
其中，含有氢氟酸的药液自所述内槽（4）开口加入，将所述晶舟（5）上的晶圆全部浸没，溢流而出的药液进入所述外槽（3）后通过第一管路再进入所述内槽（4），最后药液自所述第二管路排出。
2.根据权利要求1所述的晶圆蚀刻槽，其特征在于，所述外槽（3）内设置有固定架（9），用来固定所述内槽（4）。
3.根据权利要求1所述的晶圆蚀刻槽，其特征在于，所述外槽（3）的直角结构（6）处通过焊条焊接做圆角处理。
4.根据权利要求1所述的晶圆蚀刻槽，其特征在于，所述蚀刻槽包括支架（7），所述支架（7）分别设置在所述外槽（3）的两侧，所述支架（7）上设置有凹槽，所述晶舟（5）的两侧容置在所述凹槽的中，所述晶舟（5）能够在所述凹槽中滑动以调整晶舟（5）位置。
5.根据权利要求1所述的晶圆蚀刻槽，其特征在于，所述内槽（4）、外槽（3）均为PTFE材料注塑制成。
6.根据权利要求1所述的晶圆蚀刻槽，其特征在于，所述晶舟（5）采用PEEK材料制成。
7.根据权利要求1所述的晶圆蚀刻槽，其特征在于，所述基板（2）由PVC材料制成。
8.根据权利要求1所述的晶圆蚀刻槽，其特征在于，所述基板（2）与所述外槽（3）之间夹设有隔热垫（8），所述隔热垫（8）由PTFE材料制成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
