[发明专利]一种晶圆蚀刻槽

说明书

本发明公开了一种晶圆蚀刻槽，所述蚀刻槽包括：基座；基板，所述基板固定连接在所述基座上，所述基板形成水平的支撑面；外槽，所述外槽为上部开口的长方壳体，所述外槽的底部安置在所述支撑面上，所述外槽侧壁的下方开孔且与第一管路的一端连通；内槽，所述内槽为上部开口的长方壳体，所述内槽设置在所述外槽内，所述第一管路的另一端设置在所述内槽上方，所述内槽的底部开孔并与第二管路的一端连通，所述第二管路的另一端与外部连通；以及晶舟，所述晶舟内承载有多个晶圆，所述晶舟设置在所述内槽内；其中，含有氢氟酸的药液自所述内槽开口加入，将所述晶舟上的晶圆全部浸没。本发明设备能够耐受高温下晶圆蚀刻中氢氟酸的强腐蚀性。

技术领域

本发明属于晶圆制造技术领域，具体涉及一种晶圆蚀刻槽。

背景技术

圆晶（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为圆晶。圆晶是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒，单晶硅棒经过抛光、切片之后，就成为了圆晶。

晶圆加工中一般包括如下步骤，先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。

晶圆蚀刻程序中，需要用到氢氟酸，氢氟酸的强腐蚀性使得对蚀刻设备的耐腐蚀性要求很高。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种晶圆蚀刻槽，本发明的部分实施例能够实现晶圆蚀刻加工。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种晶圆蚀刻槽，所述蚀刻槽包括：基座；基板，所述基板固定连接在所述基座上，所述基板形成水平的支撑面；外槽，所述外槽为上部开口的长方壳体，所述外槽的底部安置在所述支撑面上，所述外槽侧壁的下方开孔且与第一管路的一端连通；内槽，所述内槽为上部开口的长方壳体，所述内槽设置在所述外槽内，所述第一管路的另一端设置在所述内槽上方，所述内槽的底部开孔并与第二管路的一端连通，所述第二管路的另一端与外部连通；以及

晶舟，所述晶舟内承载有多个晶圆，所述晶舟设置在所述内槽内；其中，含有氢氟酸的药液自所述内槽开口加入，将所述晶舟上的晶圆全部浸没，溢流而出的药液进入所述外槽后通过第一管路再进入所述内槽，最后药液自所述第二管路排出。

优选地，所述外槽内设置有固定架，用来固定所述内槽。

优选地，所述外槽的直角结构处通过焊条焊接做圆角处理。

优选地，所述蚀刻槽包括支架，所述支架分别设置在所述外槽的两侧，所述支架上设置有凹槽，所述晶舟的两侧容置在所述凹槽的中，所述晶舟能够在所述凹槽中滑动以调整晶舟位置。

优选地，所述内槽、外槽均为PTFE材料注塑制成。

优选地，所述晶舟采用PEEK材料制成。

优选地，所述基板由PVC材料制成。

优选地，所述基板与所述外槽之间夹设有隔热垫，所述隔热垫由PTFE材料制成。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：PTFE材料能够实现注塑制造的同时抵抗氢氟酸的侵蚀，且能够耐受80-100°的高温，制成发内槽和外槽溢流循环系统能够实现对晶圆的蚀刻反应，采用PEEK材料制作的晶舟在抵抗氢氟酸的侵蚀同时因为其硬度足够，能够机加工达到稳定承载晶圆的精度，整个内槽的两面和外槽的内侧面的直角结构处均采用圆角处理，使得药液浓度均匀分布，整个药液流动顺畅，基座在高温时给外槽以支撑，防止热变形，同时通过隔热垫减少温度传递对基座的形状影响。

附图说明