[发明专利]阵列基板、制备方法及显示面板有效

专利信息
申请号: 201910885526.5 申请日: 2019-09-19
公开(公告)号: CN110718559B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 聂晓辉 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;G09G3/30
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 彭绪坤
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 阵列 制备 方法 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括基板,所述基板包括显示区和非显示区,所述基板上依次设有薄膜晶体管层和第一像素电极层,所述薄膜晶体管层包括位于所述显示区内的薄膜晶体管和位于所述非显示区内的层间介电层,所述第一像素电极层与所述薄膜晶体管层连接,所述层间介电层在所述基板的非显示区开设有第一过孔;所述基板的非显示区设有检测器件,所述检测器件包括:

第一栅极金属层,沉积在所述基板上,并与所述第一过孔位置对应;

第一源漏极层,沉积在所述第一栅极金属层上,所述第一源漏极层位于所述第一过孔内,且所述第一源漏极层完全填充于所述第一过孔内,且所述第一源漏极层的上表面高度与所述层间介电层的上表面高度持平;

第二像素电极层,沉积在所述第一源漏极层上,所述第二像素电极层通过引线与所述第一像素电极层连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括平坦化层,所述平坦化层位于所述薄膜晶体管层与所述第一像素电极层之间,所述平坦化层在所述基板的非显示区开设有第二过孔以形成测试区域,所述第一过孔位于所述测试区域内。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述引线沉积在所述平坦化层和所述层间介电层上。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一过孔的面积大于或等于所述第一栅极金属层的面积。

5.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

提供基板,所述基板包括显示区和非显示区;

在所述基板上形成薄膜晶体管层、第一栅极层和第一源漏极层,所述薄膜晶体管层包括位于所述显示区的薄膜晶体管和位于所述非显示区的层间介电层,所述层间介电层在所述基板的非显示区开设有第一过孔,且所述第一源漏极层的上表面高度与所述层间介电层的上表面高度持平;所述非显示区包括第一栅极层和所述第一源漏极层,所述第一栅极层与所述第一过孔位置对应,所述第一源漏极层位于所述第一过孔内并与所述栅极层接触;

在所述薄膜晶体管层上形成第一像素电极层、第二像素电极层和引线,所述第一像素电极层与所述薄膜晶体管连接,所述第二像素电极层位于所述第一源漏极层上,并通过引线与所述第一像素电极层连接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述在所述薄膜晶体管层上形成第一像素电极层、第二像素电极层和引线之前,还包括:

在所述薄膜晶体管层上形成平坦化层;

在所述平坦化层对应所述非显示区的位置开设有第二过孔以形成测试区域;其中,所述第一过孔位于所述测试区域内,所述第一像素电极层形成于所述平坦化层上,所述第二像素电极层形成于所述第一源漏极层上,所述引线形成于所述平坦化层和所述层间介电层上。

7.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述在所述基板上形成薄膜晶体管层、第一栅极层和第一源漏极层,包括:

在所述基板上形成第一栅极层和第二栅极层;

在所述第一栅极层上方形成第一源漏极层;

在所述第二栅极层上方形成第二原漏极层。

8.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求1至4任一项所述的阵列基板。

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