[发明专利]肖特基二极管的制作方法以及肖特基二极管在审
申请号: | 201910886064.9 | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN112531008A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 林威 | 申请(专利权)人: | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;张冉 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 肖特基 二极管 制作方法 以及 | ||
1.一种肖特基二极管的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
在P衬底上形成STI区域;
在所述P衬底上用磷离子进行深N型注入形成DNW;
在所述DNW中所述STI区域的一侧进行硼离子注入形成P-层保护环,所述P-层保护环由多个形状为矩型的P-掺杂区组成,所述P-掺杂区之间相互隔开;
在所述DNW中所述STI区域的另一侧进行磷离子注入形成N+层;
在所述N+层和所述P-层保护环上积淀金属层或合金层;
在所述金属层或所述合金层上形成SiO2钝化层;
在所述SiO2钝化层上开设接触孔;
从所述接触孔引出电极。
2.如权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法,其特征在于,所述电极包括阳极和阴极,在所述阳极与所述阴极之间施加反向电压时,相邻的所述P-掺杂区的空间电荷区之间夹断。
3.如权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法,其特征在于,所述P-掺杂区的面积在1um2以上。
4.如权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法,其特征在于,在所述金属层或所述合金层上形成SiO2钝化层的步骤包括:
在所述金属层或所述合金层上利用化学气相沉积形成SiO2钝化层。
5.如权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法,其特征在于,
所述金属层为钛金属层,所述合金层为氮化钛合金层;
在所述SiO2钝化层上开设接触孔的步骤包括:
在所述SiO2钝化层上开设内壁为钛或氮化钛粘附层的接触孔。
6.如权利要求1-5任一项所述的肖特基二极管的制作方法,其特征在于,在P衬底上形成STI区域的步骤包括:
在所述P衬底上设置掩膜层,并根据所述掩膜层的预设型样刻蚀沟槽;
向所述沟槽内填充干氧生成的SiO2;
利用器械对填充所述SiO2的所述沟槽进行研磨,以形成所述STI区域。
7.一种肖特基二极管,其特征在于,包括:
位于P衬底上的STI区域;
位于所述P衬底中的包含所述STI区域的DNW;
位于所述DNW中所述STI区域一侧的P-层保护环,所述P-层保护环由多个形状为矩型的P-掺杂区组成,所述P-掺杂区之间相互隔开;
位于所述DNW中所述STI区域另一侧的N+层;
位于所述P-层保护环和所述N+层上方的金属层或合金层;
位于所述金属层或和合金层上方的SiO2钝化层;
位于所述SiO2钝化层中的接触孔,以及从所述接触引出的电极。
8.如权利要求7所述的肖特基二极管,其特征在于,所述电极包括阳极和阴极,在所述阳极与所述阴极之间施加反向电压时,相邻的所述P-掺杂区的空间电荷区之间夹断。
9.如权利要求7所述的肖特基二极管,其特征在于,所述P-掺杂区的面积在1um2以上。
10.如权利要求7所述的肖特基二极管,其特征在于,所述SiO2钝化层通过化学气相沉积形成在所述金属层或所述合金层上。
11.如权利要求7-10任一项所述的肖特基二极管,其特征在于,所述金属层为钛金属层,所述合金层为氮化钛合金层;
所述接触孔的内壁包括钛或氮化钛粘附层。
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