[发明专利]肖特基二极管的制作方法以及肖特基二极管在审

专利信息
申请号: 201910886064.9 申请日: 2019-09-19
公开(公告)号: CN112531008A 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 林威 申请(专利权)人: 上海先进半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 薛琦;张冉
地址: 200233 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 肖特基 二极管 制作方法 以及
【权利要求书】:

1.一种肖特基二极管的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:

在P衬底上形成STI区域;

在所述P衬底上用磷离子进行深N型注入形成DNW;

在所述DNW中所述STI区域的一侧进行硼离子注入形成P-层保护环,所述P-层保护环由多个形状为矩型的P-掺杂区组成,所述P-掺杂区之间相互隔开;

在所述DNW中所述STI区域的另一侧进行磷离子注入形成N+层;

在所述N+层和所述P-层保护环上积淀金属层或合金层;

在所述金属层或所述合金层上形成SiO2钝化层;

在所述SiO2钝化层上开设接触孔;

从所述接触孔引出电极。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法,其特征在于,所述电极包括阳极和阴极,在所述阳极与所述阴极之间施加反向电压时,相邻的所述P-掺杂区的空间电荷区之间夹断。

3.如权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法,其特征在于,所述P-掺杂区的面积在1um2以上。

4.如权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法,其特征在于,在所述金属层或所述合金层上形成SiO2钝化层的步骤包括:

在所述金属层或所述合金层上利用化学气相沉积形成SiO2钝化层。

5.如权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法,其特征在于,

所述金属层为钛金属层,所述合金层为氮化钛合金层;

在所述SiO2钝化层上开设接触孔的步骤包括:

在所述SiO2钝化层上开设内壁为钛或氮化钛粘附层的接触孔。

6.如权利要求1-5任一项所述的肖特基二极管的制作方法,其特征在于,在P衬底上形成STI区域的步骤包括:

在所述P衬底上设置掩膜层,并根据所述掩膜层的预设型样刻蚀沟槽;

向所述沟槽内填充干氧生成的SiO2

利用器械对填充所述SiO2的所述沟槽进行研磨,以形成所述STI区域。

7.一种肖特基二极管,其特征在于,包括:

位于P衬底上的STI区域;

位于所述P衬底中的包含所述STI区域的DNW;

位于所述DNW中所述STI区域一侧的P-层保护环,所述P-层保护环由多个形状为矩型的P-掺杂区组成,所述P-掺杂区之间相互隔开;

位于所述DNW中所述STI区域另一侧的N+层;

位于所述P-层保护环和所述N+层上方的金属层或合金层;

位于所述金属层或和合金层上方的SiO2钝化层;

位于所述SiO2钝化层中的接触孔,以及从所述接触引出的电极。

8.如权利要求7所述的肖特基二极管,其特征在于,所述电极包括阳极和阴极,在所述阳极与所述阴极之间施加反向电压时,相邻的所述P-掺杂区的空间电荷区之间夹断。

9.如权利要求7所述的肖特基二极管,其特征在于,所述P-掺杂区的面积在1um2以上。

10.如权利要求7所述的肖特基二极管,其特征在于,所述SiO2钝化层通过化学气相沉积形成在所述金属层或所述合金层上。

11.如权利要求7-10任一项所述的肖特基二极管,其特征在于,所述金属层为钛金属层,所述合金层为氮化钛合金层;

所述接触孔的内壁包括钛或氮化钛粘附层。

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