[发明专利]肖特基二极管的制作方法以及肖特基二极管

说明书

本发明公开了一种肖特基二极管的制作方法以及肖特基二极管，所述制作方法包括：在P衬底上形成STI区域；在所述P衬底上用磷离子进行深N型注入形成DNW；在DNW中所述STI区域的一侧进行硼离子注入形成P‑层保护环，所述P‑层保护环由多个P‑掺杂区组成，P‑掺杂区之间相互隔开；在DNW中所述STI区域的另一侧进行磷离子注入形成N+层；在所述N+层和所述P‑层保护环上积淀金属层或合金层；在所述金属层或所述合金层上形成SiO₂钝化层；在所述SiO₂钝化层上开设接触孔；从所述接触孔引出电极。本发明技术方案可以实现在不增加肖特基二极管的总面积并且保持击穿电压的前提下，增加正向导通电流。

技术领域

本发明涉及半导体芯片技术领域，具体涉及一种肖特基二极管的制作方法以及肖特基二极管。

背景技术

肖特基二极管是一种金属半接触型半导体器件。与PN结二极管相比，其优点在于：正向导通门限电压和正向压降低且其为一种多数载流子导电器件，反向恢复电荷很少，所以开关速度快，耗损少，适用于高频应用。

现有的肖特基二极管P-掺杂区制作方法为：用环形掩模版在DNW(深N阱)中用离子注入的方法进行P型离子注入以形成环形P-掺杂区。此种方法制作的肖特基二极管的阳极由环形P-层掺杂区与金属相结合形成，阴极由N型重掺杂区形成。在正向导通电压下，两电极的接触面积不够大，正向导通电流不高。通常情况会通过增大管芯面积来实现导通电流的增大，但面积的增大会导致制造成本的上升。因此，如何在现有技术中不增加肖特基二极管的总面积并且保持击穿电压的前提下，增加正向导通电流，是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中在不增加肖特基二极管的总面积并且保持击穿电压的前提下，增加正向导通电流的问题，提出一种肖特基二极管的制作方法以及肖特基二极管。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

一种肖特基二极管的制作方法，所述制作方法包括：

在P衬底上形成STI区域；

在所述P衬底上用磷离子进行深N型注入形成DNW；

在所述DNW中所述STI区域的一侧进行硼离子注入形成P-层保护环，所述P-层保护环由多个形状为矩型的P-掺杂区组成，所述P-掺杂区之间相互隔开；

在所述DNW中所述STI区域的另一侧进行磷离子注入形成N+层；

在所述N+层和所述P-层保护环上积淀金属层或合金层；

在所述金属层或所述合金层上形成SiO₂钝化层；

在所述SiO₂钝化层上开设接触孔；

从所述接触孔引出电极。

较佳地，所述电极包括阳极和阴极，在所述阳极与所述阴极之间施加反向电压时，相邻的所述P-掺杂区的空间电荷区之间夹断。

较佳地，所述P-掺杂区的面积在1um²以上。

较佳地，在所述金属层或所述合金层上形成SiO₂钝化层的步骤包括：

在所述金属层或所述合金层上利用化学气相沉积形成SiO₂钝化层。

较佳地，所述金属层为钛金属层，所述合金层为氮化钛合金层；

在所述SiO₂钝化层上开设接触孔的步骤包括：

在所述SiO₂钝化层上开设内壁为钛或氮化钛粘附层的接触孔。