[发明专利]一种Micro Led巨量转移装置及其转移方法在审
| 申请号： | 201910886667.9 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN110690143A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 徐尚君;王鸣昕;黄洪涛;朱景辉;高威 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L27/15 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210033 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 接收电极 转移装置 开孔 绝缘层包裹 侧壁保护 上绝缘层 偏移 形变 侧壁 填充 挤压 携带 | ||
1.一种Micro Led巨量转移装置，其特征在于，其包括转移Micro LED的转移头、接收Micro LED的接收电极、设置在接收电极上绝缘层以及位于接收电极上且开设在绝缘层上的开孔，其中，所述绝缘层在压力下具有流动性；携带Micro LED的转移头靠近接收电极的同时挤压绝缘层使绝缘层发生形变，绝缘层填充在开孔与Micro LED之间的空隙且MicroLED的侧壁由绝缘层包裹。
2.根据权利要求1所述的Micro Led巨量转移装置，其特征在于，Micro LED固定在绝缘层后，Micro LED的顶端为凹槽。
3.根据权利要求1所述的Micro Led巨量转移装置，其特征在于，所述绝缘层采用光阻材料制成的。
4.根据权利要求3所述的Micro Led巨量转移装置，其特征在于，所述绝缘层采用正性光阻材料制成的。
5.根据权利要求3所述的Micro Led巨量转移装置，其特征在于，所述绝缘层采用负性光阻材料制成的。
6.根据权利要求1所述的Micro Led巨量转移装置，其特征在于，所述绝缘层的高度为H1,Micro LED的高度为H2，H1大于H2；绝缘层的外径为R1，转移头的外径为R2，R1大于R2；开孔的内径为r1，Micro LED的外径为r2。
7.根据权利要求5所述的Micro Led巨量转移装置，其特征在于，0＜H1-H2≤3um；3um＜R1-R2；0＜r1-r2≤3um。
8.根据权利要求1-7任一所述Micro Led巨量装置的转移方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：携带Micro LED的转移头向接收电极靠近；
S2：Micro LED伸入开孔的过程中，转移头靠近接收电极的同时挤压绝缘层使绝缘层发生形变，绝缘层填充在开孔与Micro LED之间的空隙内并把Micro LED的侧壁保护起来；
S3：撤掉转移头。
9.根据权利要求8所述Micro Led巨量转移方法，其特征在于，Micro LED固定在绝缘层后，Micro LED的顶端不会被绝缘层覆盖，Micro LED的顶端的绝缘层经所述转移头挤压形成凹槽。
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