[发明专利]半导体设备及半导体设备净化方法

权利要求书

1.一种半导体设备，包括装载互锁腔室、传送腔室、至少一个处理腔室，所述装载互锁腔室与所述处理腔室围绕所述传送腔室设置，所述传送腔室分别与所述装载互锁腔室与所述处理腔室连接，且所述传送腔室与所述装载互锁腔室、所述处理腔室之间分别通过阀门隔离，所述装载互锁腔室与所述传送腔室分别包括腔体、气体供应口、气体排出口及抽气泵，所述气体供应口与所述气体排出口间隔设置于所述腔体上，所述气体供应口用于向所述腔体内供应洁净气体，所述气体排出口与所述抽气泵连接，用于排出所述腔体内的气体，其特征在于：所述半导体设备还包括气旋净化件，所述装载互锁腔室及/或所述传送腔室内装设一个所述气旋净化件，所述气旋净化件包括位于所述腔体的底壁上并靠近所述腔体的内侧壁设置的管路，所述管路上开设多个斜向通孔，且每个所述斜向通孔的方向与所述管路的延伸方向形成一锐角，所述延伸方向与所述内侧壁的环设方向相同，所述斜向通孔朝向所述内侧壁设置，所述气旋净化件与所述气体供应口相连通，通过所述气旋净化件的管路铺设及管路上的通孔的设计在所述腔体内形成气旋。

2.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述锐角大于等于10度且小于90度。

3.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，多个所述斜向通孔等间距设于所述管路上。

4.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述气体供应口与一供应阀相连，所述抽气泵与一控制阀相连。

5.如权利要求4所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括控制机构，所述控制机构与所述供应阀及所述控制阀分别电性连接。

6.一种半导体设备净化方法，应用于半导体设备，所述半导体设备包括装载互锁腔室、传送腔室、至少一个处理腔室，所述装载互锁腔室与所述处理腔室围绕所述传送腔室设置，所述传送腔室分别与所述装载互锁腔室与所述处理腔室连接，且所述传送腔室与所述装载互锁腔室、所述处理腔室之间分别通过阀门隔离，所述装载互锁腔室与所述传送腔室分别包括一腔体，其特征在于，所述装载互锁腔室及/或所述传送腔室内装设一个气旋净化件，所述气旋净化件包括位于所述腔体的底壁上并靠近所述腔体的内侧壁设置的管路，所述管路上开设多个斜向通孔，且每个所述斜向通孔的方向与所述管路的延伸方向形成一锐角，所述延伸方向与所述内侧壁的环设方向相同，所述斜向通孔朝向所述内侧壁设置，所述气旋净化件与气体供应口相连通，通过所述气旋净化件在 所述腔体内形成气旋；

所述半导体设备净化方法包括以下步骤：

密封步骤：将晶圆从腔体移走后使所述腔体内形成密闭空间；

供气步骤：经所述气体供应口向所述管路内供应洁净气体，洁净气体经所述斜向通孔冲入所述腔体内，使洁净气体通过气旋净化件在所述腔体内形成气旋；

抽离步骤：当所述腔体内的气压达到一预设值时抽离所述腔体内的气体；

其中，在所述半导体设备净化方法的过程中所述腔体的气压小于760Torr。

7.如权利要求6所述的半导体设备净化方法，其特征在于，在所述密封步骤与所述供气步骤之间还可以包括排气步骤：抽离所述腔体内的气体使所述腔体内为中真空状态。

8.如权利要求7所述的半导体设备净化方法，其特征在于，所述预设值的范围为750～760Torr，所述排气步骤使所述腔体的气压降至5～10Torr。

9.如权利要求6所述的半导体设备净化方法，其特征在于，所述半导体设备净化方法还包括重复多次所述供气步骤及所述抽离步骤。