[发明专利]半导体设备及半导体设备净化方法

说明书

一种半导体设备，包括装载互锁腔室、传送腔室、处理腔室，传送腔室分别与装载互锁腔室与处理腔室连接，且传送腔室与装载互锁腔室、处理腔室之间分别通过阀门隔离，装载互锁腔室与传送腔室分别包括腔体、气体供应口、气体排出口及抽气泵，气体供应口用于向腔体内供应洁净气体，气体排出口与抽气泵连接，用于排出腔体内的气体，半导体设备还包括气旋净化件，装载互锁腔室及/或传送腔室内装设一个气旋净化件，气旋净化件与气体供应口相连通并能够在腔体内形成气旋。本发明能能够充分净化腔体，且提高效率。本发明还提供一种半导体设备净化方法。

技术领域

本发明涉及一种半导体设备及半导体设备净化方法。

背景技术

半导体设备常用于对晶圆作各种工艺处理，例如蚀刻、沉积或金属化等。其中，蚀刻及沉积工艺容易在半导体设备内残留污染物。污染物过多既会腐蚀设备，也可能会污染后续加工的晶圆，降低加工的良率。因此，定期净化半导体设备非常必要。

现有的净化方式有两种。如图1所示，半导体设备的腔室1内设有气体供应口2及气体排出口3，通过气体供应口2向腔室1内供应洁净气体后再经气体排出口3排出气体，以带走腔室1内的污染物。这种净化方式清洁不充分，其能够带走悬浮在腔室1内的污染物，然而对附着在腔室1的内侧壁上或者腔室1内其他元件上的污染物的作用有限。另一种为暂停半导体设备运行并开启半导体设备的腔室1后人工进行清洁。由于半导体设备的部分腔室1在运行过程中处于真空状态，需要充入气体达到与大气环境接近的状态才能开启。因此这种净化方式，效率不高，并降低了半导体设备的稼动率，提高了生产成本。

发明内容

鉴于上述状况，实有必要提供一种半导体设备及半导体设备净化方法，以解决上述问题。

一种半导体设备，包括装载互锁腔室、传送腔室、至少一个处理腔室，所述装载互锁腔室与所述处理腔室围绕所述传送腔室设置，所述传送腔室分别与所述装载互锁腔室与所述处理腔室连接，且所述传送腔室与所述装载互锁腔室、所述处理腔室之间分别通过阀门隔离，所述装载互锁腔室与所述传送腔室分别包括腔体、气体供应口、气体排出口及抽气泵，所述气体供应口与所述气体排出口间隔设置于所述腔体上，所述气体供应口用于向所述腔体内供应洁净气体，所述气体排出口与所述抽气泵连接，用于排出所述腔体内的气体，所述半导体设备还包括气旋净化件，所述装载互锁腔室及 /或所述传送腔室内装设一个所述气旋净化件，所述气旋净化件与所述气体供应口相连通，通过所述气旋净化件的管路铺设及管路上的通孔的设计在所述腔体内形成气旋。

一种半导体设备净化方法，应用于半导体设备，所述半导体设备包括装载互锁腔室、传送腔室、至少一个处理腔室，所述装载互锁腔室与所述处理腔室围绕所述传送腔室设置，所述传送腔室分别与所述装载互锁腔室与所述处理腔室连接，且所述传送腔室与所述装载互锁腔室、所述处理腔室之间分别通过阀门隔离，所述装载互锁腔室与所述传送腔室分别包括一腔体，其特征在于，所述半导体设备净化方法包括以下步骤：

密封步骤：将晶圆从腔体移走后使所述腔体内形成密闭空间；

供气步骤：向所述腔体内充入洁净气体，使洁净气体通过气旋净化件在所述腔体内形成气旋；

抽离步骤：当所述腔体内的气压达到一预设值时再次抽离所述腔体内的气体；

其中，在所述半导体设备净化方法的过程中所述腔体的气压小于760Torr。

本发明提供的半导体设备在腔体内设有一气旋净化件，气旋净化件产生的气旋可以带动附着于腔体的内侧壁上的污染物，以便被抽气泵抽走，能够充分净化腔体。本发明提供的半导体设备净化方法能够在不降低设备稼动率的前提下充分净化半导体设备，避免了半导体设备的腐蚀，延长了半导体设备的寿命，防止半导体设备给晶圆的污染，且净化效率高，降低了生产成本。

附图说明

图1为传统的半导体设备的腔室的结构示意图。

图2为本发明提供的半导体设备的立体示意图。