[发明专利]喷头组件、沉积设备及沉积方法在审
申请号: | 201910888433.8 | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN110656317A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 马春龙;罗兴安 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/40;C23C16/50;H01L21/67 |
代理公司: | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李洋;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷头 处理对象 工艺气体 第二区域 第一区域 供应系统 喷头组件 喷嘴端 输出口 沉积装置 输出 沉积 匹配 包围 申请 | ||
1.一种喷头组件,其特征在于,包括:
第一喷头,呈环形,用于与第一工艺气体的供应系统的输出口连接,并将所述第一工艺气体输出至待处理对象的第一区域;
第二喷头,用于与第二工艺气体的供应系统的输出口连接,并将所述第二工艺气体输出至所述待处理对象的第二区域;
其中,所述第一喷头的形状与所述待处理对象的形状相匹配,所述第一区域包围所述第二区域,所述待处理对象距离所述第一喷头的输出端比所述第二喷头的输出端近。
2.根据权利要求1所述的喷头组件,其特征在于,所述第一喷头与所述第二喷头相互独立;或者,
所述第二喷头,设置于所述第一喷头包围的内环空间中。
3.根据权利要求1所述的喷头组件,其特征在于,所述待处理对象包括晶圆。
4.根据权利要求1所述的喷头组件,其特征在于,所述第一喷头的尺寸与所述待处理对象的尺寸相匹配。
5.根据权利要求1所述的喷头组件,其特征在于,所述环形的形状包括:圆形、多边形、椭圆形;
所述第二喷头的形状包括:圆形、喇叭形。
6.根据权利要求1所述的喷头组件,其特征在于,所述第一喷头包括:第一工艺气体输入端、第一工艺气体输出端和环形边缘,其中:
所述第一工艺气体输入端、所述环形边缘和所述第一工艺气体输出端形成第一缓冲空间,所述第一缓冲空间中设置有平行于所述第一工艺气体输出端所在平面的第一挡板,所述第一挡板上设有通孔;
第一工艺气体的供应系统的输出端与所述第一工艺气体输入端连接,所述第一缓冲空间连通所述第一工艺气体输入端和所述第一工艺气体输出端,使第一工艺气体输入端输入的所述第一工艺气体通过所述通孔分散输出至所述第一工艺气体输出端;
所述第一工艺气体输出端用于输出所述第一工艺气体至所述待处理对象的第一区域。
7.根据权利要求1所述的喷头组件,其特征在于,所述第二喷头包括:第二工艺气体输入端、第二工艺气体输出端和侧壁,其中:
所述第一工艺气体输入端、所述侧壁和所述第二工艺气体输出端形成第二缓冲空间,所述第二缓冲空间中设置有平行于所述第二气体输出端所在平面的第二挡板,所述第二挡板上设有通孔;
第二工艺气体的供应系统的输出端与所述第二工艺气体输入端连接,所述第二缓冲空间连通所述第二工艺气体输入端和所述第二工艺气体输出端,以使第二工艺气体输入端输入的所述第二工艺气体通过所述通孔分散输出至所述第二工艺气体输出端;
所述第二气体输出端用于输出第二工艺气体至所述待处理对象的第二区域。
8.一种沉积设备,其特征在于,包括:
工艺室;
支撑装置,设置于所述工艺室中,用于放置待处理对象;
喷头组件,包括:第一喷头,呈环形,用于与第一工艺气体的供应系统的输出口连接,并将所述第一工艺气体输出至待处理对象的第一区域;
第二喷头,用于与第二工艺气体的供应系统的输出口连接,并将所述第二工艺气体输出至所述待处理对象的第二区域;
其中,所述第一喷头的形状与所述待处理对象的形状相匹配,所述第一区域包围所述第二区域,所述待处理对象距离所述第一喷头的输出端比所述第二喷头的输出端近。
9.根据权利要求8所述的沉积设备,其特征在于,所述第一喷头的尺寸与所述待处理对象的尺寸相匹配。
10.一种沉积方法,其特征在于,包括:
将待处理对象放置在工艺室中的支持装置上;
通过喷头组件中呈环形的第一喷头,将第一工艺气体输出至所述待处理对象的第一区域;所述第一喷头的形状与所述待处理对象的形状相匹配;
通过喷头组件中第二喷头,将第二工艺气体输出至所述待处理对象的第二区域;所述第一区域包围所述第二区域,所述待处理对象距离所述第一喷头的输出端比所述第二喷头的输出端近;
在所述待处理对象的边缘沉积半导体材料。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的