[发明专利]喷头组件、沉积设备及沉积方法

说明书

本申请实施例公开了一种喷头组件、沉积装置及沉积方法，其中，所述喷头组件包括：第一喷头，呈环形，用于与第一工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第一工艺气体输出至待处理对象的第一区域；第二喷头，用于与第二工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第二工艺气体输出至所述待处理对象的第二区域；其中，所述第一喷头的形状与所述待处理对象的形状相匹配，所述第一区域包围所述第二区域，所述待处理对象距离所述第一喷头的喷嘴端比所述第二喷头的喷嘴端近。

技术领域

本申请实施例涉及半导体器件及其制造领域，涉及但不限于一种喷头组件、沉积设备及沉积方法。

背景技术

在半导体制造工业中，晶圆的边缘经常和不同工艺设备的机械手接触，可能会产生损伤。另外，在采用刻蚀工艺时也可能对晶圆的边缘造成损伤。由于晶圆边缘的损伤，造成了大量的产品报废。

为了提高良品率，需要对晶圆的边缘进行处理。现有技术中，通常在晶圆的边缘形成氧化膜来保护晶圆的边缘。但在实际应用中，在晶圆的边缘形成氧化膜时，通常也会导致在晶圆的非边缘区域形成氧化膜，然而这会影响后续的工艺的制程。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种喷头组件、沉积设备及沉积方法，解决决了如何在晶圆边缘沉积氧化膜的问题，在实现在晶圆边缘沉积氧化膜同时，还能避免在非边缘区域沉积形成氧化膜。

本申请实施例的技术方案是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供一种喷头组件，包括：

第一喷头，呈环形，用于与第一工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第一工艺气体输出至待处理对象的第一区域；

第二喷头，用于与第二工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第二工艺气体输出至所述待处理对象的第二区域；

其中，所述第一喷头的形状与所述待处理对象的形状相匹配，所述第一区域包围所述第二区域，所述待处理对象距离所述第一喷头的输出端比所述第二喷头的输出端近。

在一些实施例中，所述第一喷头与所述第二喷头相互独立；或者，

所述第二喷头，设置于所述第一喷头包围的内环空间中。

在一些实施例中，所述待处理对象包括晶圆。

在一些实施例中，所述第一喷头的尺寸与所述待处理对象的尺寸相匹配。

在一些实施例中，所述环形的形状包括圆形、多边形、椭圆形；所述第二喷头的形状包括：圆形、喇叭形。

在一些实施例中，所述第一喷头包括：第一工艺气体输入端、第一工艺气体输出端和环形边缘，其中：

所述第一工艺气体输入端、所述环形边缘和所述第一工艺气体输出端形成第一缓冲空间，所述第一缓冲空间中设置有平行于所述第一工艺气体输出端所在平面的第一挡板，所述第一挡板上设有通孔；

所述第一工艺气体的供应系统的输出端与所述第一工艺气体输入端连接，所述第一缓冲空间连通所述第一工艺气体输入端和所述第一工艺气体输出端，使第一工艺气体输入端输入的所述第一工艺气体通过所述通孔分散输出至所述第一工艺气体输出端；

所述第一工艺气体输出端用于输出所述第一工艺气体至所述待处理对象的第一区域。

在一些实施例中，所述第二喷头包括：第二工艺气体输入端、第二工艺气体输出端和侧壁，其中：

所述第一工艺气体输入端、所述侧壁和所述第二工艺气体输出端形成第二缓冲空间，所述第二缓冲空间中设置有平行于所述第二工艺气体输出端所在平面的第二挡板，所述第二挡板上设有通孔；