[发明专利]衬底接合设备和使用该衬底接合设备的衬底接合方法在审
申请号: | 201910891345.3 | 申请日: | 2019-09-20 |
公开(公告)号: | CN110931416A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 金兑泳;韩珉洙;金俊亨;罗勋奏;文光辰 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/50 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 接合 设备 使用 方法 | ||
1.一种衬底接合设备,包括:
下卡盘,其承接下衬底;以及
上卡盘,其布置在所述下卡盘上方,
其中,上衬底固定于所述上卡盘,并且所述上卡盘和所述下卡盘将所述上衬底和所述下衬底接合,
其中,所述上卡盘具有朝向所述下卡盘的上凸表面,
其中,所述上凸表面包括沿方位角方向交替布置的多个第一脊和多个第一谷。
2.根据权利要求1所述的衬底接合设备,其中,所述第一脊和所述第一谷沿所述方位角方向以每π/4弧度交替布置。
3.根据权利要求2所述的衬底接合设备,其中,
所述第一脊沿所述方位角方向布置在π/2弧度、π弧度、3π/2弧度以及2π弧度处,并且
所述第一谷沿所述方位角方向布置在π/4弧度、3π/4弧度、5π/4弧度以及7π/4弧度处。
4.根据权利要求1所述的衬底接合设备,其中,所述第一脊具有第一曲率半径,所述第一谷具有第二曲率半径,并且所述第一曲率半径大于所述第二曲率半径。
5.根据权利要求4所述的衬底接合设备,其中,所述第一脊具有第一曲率,所述第一谷具有第二曲率,并且所述第一曲率小于所述第二曲率。
6.根据权利要求4所述的衬底接合设备,其中,所述下卡盘具有朝向所述上卡盘的下凸表面,并且
所述下凸表面包括沿所述方位角方向交替布置的多个第二脊和多个第二谷。
7.根据权利要求6所述的衬底接合设备,其中,
所述第二谷布置在所述第一谷上,并且
所述第二脊布置在所述第一脊上。
8.根据权利要求6所述的衬底接合设备,其中,
所述第二脊具有所述第一曲率半径,并且
所述第二谷具有所述第二曲率半径。
9.根据权利要求1所述的衬底接合设备,其中,
所述上卡盘包括多个第一吸附孔,所述多个第一吸附孔将所述上衬底真空吸附于所述上卡盘,并且
所述下卡盘包括多个第二吸附孔,所述多个第二吸附孔将所述下衬底真空吸附于所述下卡盘。
10.根据权利要求1所述的衬底接合设备,其中,
所述上卡盘包括上电极,所述上电极将所述上衬底静电固定于所述上卡盘,并且
所述下卡盘包括下电极,所述下电极将所述下衬底静电固定于所述下卡盘。
11.一种衬底接合设备,包括:
下卡盘,其装载下衬底;以及
上卡盘,其布置在所述下卡盘上方,
其中,上衬底固定于所述上卡盘,并且所述上卡盘和所述下卡盘将所述上衬底与所述下衬底接合,
其中,所述上卡盘具有朝向所述下卡盘的上凸表面,并且所述上凸表面沿方位角方向是不平坦的。
12.根据权利要求11所述的衬底接合设备,其中,所述上凸表面包括:
多个脊;以及
多个谷,其布置在所述脊之间并布置在所述脊下方。
13.根据权利要求12所述的衬底接合设备,其中,
一对面对的脊以第一最大直线距离彼此检测开,并且
一对面对的谷以第二最大直线距离彼此间隔开,所述第二最大直线距离小于所述第一最大直线距离。
14.根据权利要求11所述的衬底接合设备,其中,所述上卡盘包括橡胶或聚二甲基硅氧烷。
15.根据权利要求11所述的衬底接合设备,其中,所述下卡盘具有朝向所述上卡盘的下凸表面,并且所述下凸表面沿所述方位角方向是不平坦的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造