[发明专利]衬底接合设备和使用该衬底接合设备的衬底接合方法在审

专利信息
申请号: 201910891345.3 申请日: 2019-09-20
公开(公告)号: CN110931416A 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 金兑泳;韩珉洙;金俊亨;罗勋奏;文光辰 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/50
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张青
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 衬底 接合 设备 使用 方法
【说明书】:

公开了一种衬底接合设备和一种衬底接合方法。所述衬底接合设备包括:下卡盘,其承接下衬底;以及上卡盘,其布置在下卡盘上方。上衬底固定于上卡盘。上卡盘和下卡盘将上衬底与下衬底接合。上卡盘具有朝向下卡盘的上凸表面。上凸表面包括沿方位角方向交替布置的多个第一脊和多个第一谷。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年9月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0113155的优先权,该申请的公开内容通过引用方式整体并入本文。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及一种用于制造半导体装置的设备和制造半导体装置的方法,更具体地,涉及一种衬底接合设备和使用该衬底接合设备的衬底接合方法。

背景技术

随着近来半导体装置的发展,建议使用堆叠型半导体装置和堆叠型传感器作为替代方案来有效地减小电子装置的物理尺寸。在堆叠型半导体装置和传感器中,可以在多个衬底上单独地制造逻辑单元、存储器单元、处理电路和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。多个衬底可以彼此接合以减小堆叠型半导体装置和传感器的外形尺寸(formfactor)。

发明内容

本发明构思的示例性实施例提供一种衬底接合设备以及一种使用该衬底接合设备的衬底接合方法,其中,防止并减小衬底上发生的变形缺陷。

根据本发明构思的示例性实施例,一种衬底接合设备包括:下卡盘,其承接下衬底;以及上卡盘,其布置在下卡盘上方。上衬底固定于上卡盘。上卡盘和下卡盘将上衬底和下衬底接合。上卡盘具有朝向下卡盘的上凸表面。所述上凸表面包括沿方位角方向交替布置的多个第一脊和多个第一谷。

根据本发明构思的示例性实施例,一种衬底接合设备包括:下卡盘,其装载下衬底,以及上卡盘,其布置在下卡盘上方。上衬底固定于上卡盘。上卡盘和下卡盘将上衬底与下衬底接合。上卡盘具有朝向下卡盘的上凸表面,并且所述上凸表面沿方位角方向是不平坦的。

根据本发明构思的示例性实施例,一种衬底接合方法包括步骤:将上衬底固定在上卡盘上;以及将上衬底与下衬底接合。下衬底被布置在下卡盘上,下卡盘面对上卡盘。将上衬底与下衬底接合的步骤包括:将上衬底的中心与下衬底的中心接合;以及将上衬底的边缘与下衬底的边缘接合。将上衬底的边缘与下衬底的边缘接合的步骤包括:将上衬底的多个第一脊部与下衬底的多个第二脊部接合;以及将布置在所述第一脊部之间的多个第一谷部与布置在所述第二脊部之间的多个第二谷部接合。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例,本发明构思的上述特征和其他特征将变得更加明显,在附图中:

图1示出了显示根据本发明构思的示例性实施例的衬底接合设备100的平面图。

图2示出了沿图1的线I-I'和线II-II'截取的横截面图。

图3示出了显示根据比较示例的卡盘的平面图。

图4示出了显示沿着图1和图2中所示的上衬底的边缘截取的上衬底的横截面图。

图5示出了显示沿着图1和图2中所示的下衬底的边缘截取的下衬底的横截面图。

图6示出了显示分别沿图1的线I-I'和II-II'截取的上卡盘和下卡盘的示例的横截面图。

图7示出了显示根据本发明构思的示例性实施例的衬底接合方法的流程图。

图8示出了显示图7的流程图中的衬底接合操作的示例的流程图。

图9和图10示出了显示在图2中所示的接合上衬底和下衬底的工艺的横截面图。

图11示出了显示图8的流程图中的衬底边缘接合操作的示例的流程图。

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