[发明专利]一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正型QLED器件

权利要求书

1.一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正置型QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）清洗含有透明电极的玻璃基底；

（2）在透明电极上旋涂空穴注入层，所述空穴注入层为Ti-V₂O₅薄膜层；

（3）在空穴注入层上旋涂空穴传输层；

（4）在空穴传输层上旋涂量子点发光层，所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS量子点；

（5）在量子点发光层上旋涂电子传输层ZnO；

（6）在电子传输层ZnO上蒸镀顶电极，待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可；

所述的透明电极为ITO电极；所述的空穴传输层为PVK、TFB、poly-TPD、TCTA、CBP中的一种或几种；所述顶电极为Al。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，TFB在使用前，通过将TFB粉末溶解于氯苯，制备成浓度为8 mg/mL的溶液，再通过旋涂的方法制备成TFB薄膜，备用。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（4）中在QLED器件制备前，通过将粒径为8 nm的ZnCdSeS/ZnS绿光量子点溶解于正辛烷，制备成浓度为18 mg/mL的溶液，再通过旋涂的方法制备成量子点发光薄膜，备用。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（5）中在QLED器件制备前，通过将粒径为3-4 nm的ZnO溶解于乙醇中，制得浓度为30 mg/mL的ZnO溶液，并通过旋涂的方法制备得到ZnO薄膜，备用。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述Ti-V₂O₅薄膜层的制备过程如下：

首先将钒的前驱体与异丙醇按照1:（60-80）的体积比混合制备V₂O₅的前驱体溶液，然后再将V₂O₅的前驱体溶液与钛的前驱体混合制备Ti-V₂O₅溶液，再利用旋涂法制备Ti-V₂O₅薄膜层，旋涂时间50-80s，并进行紫外-臭氧处理，将处理后的Ti-V₂O₅薄膜层作为器件的空穴注入层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述钒的前驱体为三异丙醇氧钒，钛的前驱体为四异丙醇钛。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，V₂O₅的前驱体溶液与四异丙醇钛的体积比为0.5-1.5%。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，旋涂时的转速为3000-5000 rpm/min。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述紫外-臭氧处理时间为0-15min。

10.采用权利要求1-9任一所述方法制备的基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正置型QLED器件。