[发明专利]一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正型QLED器件

说明书

本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正置型QLED器件及其制备方法。本发明通过在V₂O₅中掺杂Ti制备Ti‑V₂O₅溶液，将Ti‑V₂O₅溶液旋涂于ITO基片上，形成薄膜层作为正置型QLED器件的空穴注入层，并对掺杂比例、旋涂时的转速以及臭氧时间进行优化，制备得到基于Ti掺杂V₂O₅空穴注入层的QLED器件，并对所制备的QLED器件性能进行检测。所述QLED器件由于掺杂Ti可以使V₂O₅的导带位置下移，降低了空穴注入势垒，有利于空穴注入层中空穴的注入，所制备QLED器件的参数中，最大电流效率为52.28 cd/A，EQE为13.35%。

技术领域

本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正置型QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管（Quantum dot light emitting diodes，简称QLED）具有在可见光范围内发射波长可调，半峰宽较窄，亮度高，可用溶液法制备等优点，近年来，其相关领域的研究受到广泛的关注，同时，QLED在下一代平板显示和固态照明等领域也显示了极大的应用潜力。目前，在构筑QLED器件时，最常采用的空穴注入材料是聚（3,4-乙烯二氧噻吩）：聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT:PSS）。PEDOT:PSS自身容易被空气氧化进而会影响器件的寿命。文献（Jia W, Tchoudakov R, Segal E, et al. Electrically conductivecomposites based on epoxy resin with polyaniline-DBSA fillers[J]. SyntheticMetals, 2003, 132(3): 269-278. ）报道，PEDOT:PSS的酸性和吸湿性，会对ITO电极造成腐蚀，为科研工作带来不便。因此，科研工作者也在积极的寻求一种环境稳定性好且与PEDOT:PSS能级结构相似的材料进行替代。

为了解决这一问题，过渡金属氧化物V₂O₅作为新型的空穴注入材料逐渐引脱颖而出。与基于PEDOT:PSS的QLED器件相比，基于V₂O₅所构筑的器件具有良好的稳定性，并且通过掺杂Ti可以使V₂O₅的导带位置下移，降低空穴注入势垒，提高空穴注入能力，改善载流子注入平衡，进而使器件的效率提高。与PEDOT:PSS薄膜相比，在6 V电压下，Ti掺杂V₂O₅薄膜的微区电流从pA量级提高到nA量级。所以，Ti掺杂V₂O₅作为空穴注入材料替代PEDOT:PSS应用于发光二极管、太阳能电池、电子纺织品等电子显示领域，将会有更广阔的应用前景。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正置型QLED器件及其制备方法，通过将Ti掺杂V₂O₅替代PEDOT:PSS作为正置型QLED器件的空穴注入材料，旨在解决现有基于PEDOT:PSS的QLED器件稳定性较差的问题。

基于上述目的，本发明采取如下技术方案：

一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正置型QLED器件的制备方法，包括如下步骤：

（1）清洗含有透明电极的玻璃基底；

（2）在透明电极上旋涂空穴注入层，所述空穴注入层为Ti-V₂O₅薄膜层；

（3）在空穴注入层上旋涂空穴传输层；