[发明专利]改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法有效

申请号：	201910891603.8	申请日：	2019-09-20
公开（公告）号：	CN110600364B	公开（公告）日：	2022-04-15
发明（设计）人：	史航;谢岩	申请（专利权）人：	武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02
代理公司：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237	代理人：	曹廷廷
地址：	430205 湖北***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	改善边缘刻蚀机台缺陷方法
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【权利要求书】：

1.一种改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法，其特征在于，包括：

向刻蚀机台的腔室内通入第一混合气体，用于去除所述腔室内的聚合物，且所述腔室内的压力介于1900mt～2000mt之间，所述第一混合气体包括CF₄和SF₆，使得所述第一混合气体能够与腔室内的聚合物进行离子反应，并生成气化生产物，从而被分子泵快速抽走，所述第一混合气体的流量介于420sccm～520sccm；

向所述腔室内通入第二混合气体，用于进一步去除所述腔室内的聚合物，且所述腔室内的压力介于1900mt～2000mt之间，所述第二混合气体包含O₂与CF₄；

其中，向所述腔室内仅通入一次所述第一混合气体以及一次所述第二混合气体。

2.如权利要求1所述的改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法，其特征在于，向所述腔室内通入第一混合气体的过程中，所述腔室内的压力为1900mt。

3.如权利要求2所述的改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法，其特征在于，所述腔室加载的功率介于200W～800W。

4.如权利要求3所述的改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法，其特征在于，所述第一混合气体的流量为470sccm，所述腔室加载的功率为500W。

5.如权利要求1所述的改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法，其特征在于，向所述腔室内通入第二混合气体的过程中，所述腔室加载的功率介于700W～900W。

6.如权利要求5所述的改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法，其特征在于，所述腔室内的压力为1900mt，所述腔室加载的功率为800W。

7.如权利要求1所述的改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法，其特征在于，所述第二混合气体中O₂的流量介于400sccm～600sccm，所述第二混合气体中CF₄的流量介于90sccm～290sccm。

8.如权利要求6所述的改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法，其特征在于，所述第二混合气体中O₂的流量为500sccm，所述第二混合气体中CF₄的流量为190sccm。

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