[发明专利]改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法

说明书

本发明提供了一种改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法，包括：向刻蚀机台的腔室内通入第一混合气体，用于去除所述腔室内的聚合物，所述腔室内的压力低于2000mt，向所述腔室内通入第二混合气体，用于进一步去除所述腔室内的聚合物，第一混合气体的压力降低，采用低压力的工艺可以提高所述腔室抽气的速度，加快去除聚合物，从而避免聚合物遇水汽凝结而在晶圆边缘造成缺陷，最终提高产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法。

背景技术

随着集成电路工艺的发展，晶圆规格逐渐向大尺寸发展，12寸已逐渐成为集成电路制造的主流，未来甚至会发展到18寸及18寸以上。晶圆尺寸的扩大相应的引起晶圆边缘(wafer bevel)面积的扩大，对晶圆边缘缺陷的控制显得更加重要。

在晶圆工艺制程中，边缘刻蚀(bevel etch)是一种有效去除晶圆边缘各种残留膜层(film)的有效手段，而边缘机台(bevel机台)由于其需要在较高的压力下工作，而且只对晶圆边缘进行等离子体控制(plasma control)，因此很容易在晶圆边缘产生凝结缺陷(condense defect)，影响机台的正常monitor。

发明内容

基于以上所述的问题，本发明的目的在于提供一种改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法，改善刻蚀机台内由于聚合物与水汽凝结而在晶圆边缘造成的缺陷，提高产品良率。

为实现上述目的，本发明提供一种改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法，包括：

向刻蚀机台的腔室内通入第一混合气体，用于去除所述腔室内的聚合物，且所述腔室内的压力低于2000mt；

向所述腔室内通入第二混合气体，用于进一步去除所述腔室内的聚合物。

可选的，在所述改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法中，向所述腔室内通入第一混合气体的过程中，所述腔室内的压力为1900mt。

可选的，在所述改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法中，所述第一混合气体包含N₂、CF₄以及SF₆。

可选的，在所述改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法中，所述第一混合气体的流量介于420sccm～520sccm，所述腔室加载的功率介于200W～800W。

可选的，在所述改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法中，所述第一混合气体的流量为470sccm，所述腔室加载的功率为500W。

可选的，在所述改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法中，所述第二混合气体包含O₂与CF₄。

可选的，在所述改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法中，向所述腔室内通入第二混合气体的过程中，所述腔室内的压力介于1800mt～2000mt之间，所述腔室加载的的功率介于700W～900W。

可选的，在所述改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法中，所述腔室内的压力为1900mt，所述腔室加载的功率为800W。

可选的，在所述改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法中，所述第二混合气体中O₂的流量介于400sccm～600sccm，所述第二混合气体中CF₄的流量介于90sccm～290sccm。

可选的，在所述改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法中，所述第二混合气体中O₂的流量为500sccm，所述第二混合气体中CF₄的流量为190sccm。