[发明专利]一种半导体基板的表面防尘处理方法在审
| 申请号： | 201910893324.5 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN112542371A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 宿志影 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/14;H01L23/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 表面 防尘 处理 方法 | ||
1.一种半导体基板的表面防尘处理方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)使用有机溶剂预清洗半导体基板后风干；
(2)在惰性气体氛围下采用离子束刻蚀清洗步骤(1)处理后的半导体基板；
(3)在步骤(2)处理后的半导体基板上沉积硅层；
(4)使用磁过滤真空阴极电弧法在步骤(3)处理后的半导体基板的硅层上沉积类金刚石膜，沉积过程中，在阳极施加偏压，偏压范围从负70V到负120V；
(5)在步骤(4)处理后的半导体基板的类金刚石膜上气相沉积氟层。
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述步骤(5)中，采用射频化学气相沉积法进行气相沉积氟层，气相沉积氟层的气体选用CF4，CF4的流量为60sccm-100sccm，气相沉积氟层的处理时间为12min-18min。
3.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，所述步骤(5)中，CF4的流量为70sccm-90sccm。
4.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，所述步骤(5)中，CF4的流量为70sccm-80sccm，气相沉积氟层的处理时间为15min。
5.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述步骤(3)中，沉积硅层的方法为磁控溅射沉积方法，磁控溅射沉积方法使用的靶材为高纯度硅，磁控溅射沉积方法中硅的沉积速率为
6.根据权利要求5所述的处理方法，其特征在于，所述步骤(3)中，磁控溅射沉积方法中硅的沉积速率为沉积硅层的厚度为10埃。
7.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述步骤(2)中，离子束刻蚀清洗采用Ar离子束进行离子束刻蚀清洗，离子束刻蚀清洗过程中Ar离子束的入射角度为30°-45°。
8.根据权利要求7所述的处理方法，其特征在于，所述步骤(2)中，离子束刻蚀清洗过程中半导体基板的转速为30r/s，离子束刻蚀清洗速率为惰性气体为氩气。
9.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述步骤(1)中，有机溶剂为异丙醇，预清洗的方式为超声预清洗，预清洗的时间为20分钟。
10.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述步骤(4)中，磁过滤真空阴极电弧法的靶材为高纯度的石墨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
