[发明专利]一种半导体基板的表面防尘处理方法

说明书

本发明提供了一种半导体基板的表面防尘处理方法，包括以下步骤：(1)使用有机溶剂预清洗半导体基板后风干；(2)在惰性气体氛围下采用离子束刻蚀清洗步骤(1)处理后的半导体基板；(3)在步骤(2)处理后的半导体基板上沉积硅层；(4)使用磁过滤真空阴极电弧法在步骤(3)处理后的半导体基板的硅层上沉积类金刚石膜，沉积过程中，在阳极施加偏压，偏压范围从负70V到负120V；(5)在步骤(4)处理后的半导体基板的类金刚石膜上气相沉积氟层。本发明方法改变了其上述半导体基板的表面承载状况，很好的改善了上述半导体基板表面的清洁度，同时很好的避免了半导体基板表面的清洁度不佳而导致的静电放电对于半导体的损害。

技术领域

本发明属于半导体制备工艺技术领域，具体涉及一种半导体基板的表面防尘处理方法。

背景技术

半导体基板用于承载半导体，半导体基板表面的清洁程度影响半导体的性能，表面上浮动的尘埃会对半导体产生二次污染，造成半导体的损坏。通常情况下，对半导体基板表面的清洁程度主要靠清洗来完成，但是效果不理想。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种半导体基板的表面防尘处理方法。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种半导体基板的表面防尘处理方法，所述方法包括以下步骤：

(1)使用有机溶剂预清洗半导体基板后风干；

(2)在惰性气体氛围下采用离子束(Ion Beam Etching)刻蚀清洗步骤(1)处理后的半导体基板；

(3)在步骤(2)处理后的半导体基板上沉积硅层；

(4)使用磁过滤真空阴极电弧法(Filtered Cathodic Vacuum Arc)在步骤(3)处理后的半导体基板的硅层上沉积类金刚石膜，沉积过程中，在阳极施加偏压，偏压范围从负70V到负120V；

(5)在步骤(4)处理后的半导体基板的类金刚石膜上气相沉积氟层。

上述半导体基板的表面防尘处理方法，对半导体基板依次使用有机溶剂和离子束刻蚀进行清洗后，依次在半导体基板的表面沉积硅层、类金刚石膜和氟层，将上述方式巧妙的结合起来，改变了其上述半导体基板的表面承载状况，很好的改善了上述半导体基板表面的清洁度，同时很好的避免了半导体基板表面的清洁度不佳而导致的静电放电(ESD)对于半导体的损害；上述方法步骤(3)中沉积硅层有利于提高半导体基板和类金刚石膜的结合性能；上述方法步骤(4)中在阳极施加偏压，偏压范围从负70V到负120V有利于在以半导体基板的表面得到均匀致密的类金刚石膜层，并且有利于提高类金刚石膜中sp3的含量，进而提高类金刚石膜的硬度；上述方法步骤(5)中在类金刚石膜上沉积氟层，有利于提高半导体基板表面的疏水疏油，更好的避免了灰尘在半导体基板表面的黏附，改善的半导体基板表面的清洁度。

优选地，所述步骤(5)中，采用射频化学气相沉积(Radio Frequency ChemicalVapor Deposition)法进行气相沉积氟层，气相沉积氟层的气体选用CF₄，CF₄的流量为60sccm-100sccm，气相沉积氟层的处理时间为12min-18min。

在上述气相沉积氟层参数下，可以更好的改善半导体基板表面的粗糙度，进而避免了灰尘在半导体基板表面的累积，改善了半导体基板表面的清洁度。

优选地，所述步骤(5)中，CF₄的流量为70sccm-90sccm。

在上述气相沉积氟层参数下，可以更好的改善半导体基板表面的清洁度而且节约成本。

优选地，所述步骤(5)中，CF₄的流量为70sccm-80sccm，气相沉积氟层的处理时间为15min。