[发明专利]半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

第一有源管芯和第二有源管芯，分开地排列；

绝缘包封体，至少横向密封所述第一有源管芯和所述第二有源管芯；

重布线层，设置在所述绝缘包封体、所述第一有源管芯和所述第二有源管芯上；以及

细间距管芯，设置在所述重布线层上并延伸超过所述第一有源管芯和所述第二有源管芯之间的间隙，所述细间距管芯具有不同于所述第一有源管芯和所述第二有源管芯的功能，所述第一有源管芯的导电特征分为第一群组及第二群组，所述第一群组中的两个相邻的所述导电特征的间距比所述第二群组中的两个相邻的所述导电特征的间距更为精细，

其中所述细间距管芯与所述第一群组重叠，所述细间距管芯的管芯连接件通过所述重布线层的第一导电路径连接到所述第一有源管芯的所述第一群组的所述导电特征，

其中所述细间距管芯与所述第二群组不重叠，所述细间距管芯的所述管芯连接件不通过所述重布线层连接到所述第一有源管芯的所述第二群组的所述导电特征，

其中所述重布线层的所述第一导电路径的第一连接长度基本上等于所述细间距管芯的所述管芯连接件与所述第一有源管芯的所述导电特征之间的最短距离。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括：

导电端子，设置在所述重布线层上并在所述细间距管芯旁，所述导电端子通过所述重布线层电性连接到所述第一有源管芯和所述第二有源管芯。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，其中所述重布线层的第二导电路径连接到所述导电端子和所述第一有源管芯和所述第二有源管芯中的任一者，并且所述第一导电路径的所述第一连接长度短于所述第二导电路径的第二连接长度。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括：

无源元件，设置在所述重布线层并在所述细间距管芯旁，所述无源元件通过所述重布线层电性连接到所述第一有源管芯和所述第二有源管芯。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括：

底胶，设置在所述细间距管芯和所述重布线层之间，以横向覆盖所述细间距管芯的所述管芯连接件。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，其中所述第一有源管芯的所述导电特征是接触垫，并且所述重布线层的所述第一导电路径与所述接触垫直接接触。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，其中所述细间距管芯的所述管芯连接件部分地嵌入所述重布线层中以与所述第一导电路径直接接触。

8.一种半导体封装的制造方法，其特征在于，包括：

用绝缘包封体密封多个有源管芯，其中相邻的所述有源管芯在空间上被所述绝缘包封体的一部分隔开，其中所述有源管芯的任一者设置有接触垫，所述接触垫分为第一群组及第二群组，所述第一群组中的两个相邻的所述接触垫的间距比所述第二群组中的两个相邻的所述接触垫的间距更为精细；

在所述有源管芯和所述绝缘包封体上形成重布线层；以及

在所述重布线层和所述绝缘包封体的所述部分上设置细间距管芯，其中所述细间距管芯与所述有源管芯的任一者的所述第一群组重叠，所述细间距管芯与所述有源管芯的任一者的所述第二群组不重叠，所述细间距管芯的多个管芯连接件与所述重布线层的导电路径结合以连接至所述有源管芯的任一者的所述第一群组的所述接触垫，所述细间距管芯的所述多个管芯连接件不通过所述重布线层连接到所述有源管芯的任一者的所述第二群组的所述接触垫，在所述细间距管芯的所述管芯连接件中的任一者与所述有源管芯中的任一者之间的所述导电路径的连接长度基本上等于所述管芯连接件中的所述一者和所述有源管芯中的所述一者之间的最短距离。

9.根据权利要求8所述的半导体封装的制造方法，其特征在于，其中形成所述重布线层包括：

在所述有源管芯的有源面上形成图案化导电层，其中所述图案化导电层的导通孔直接连接到分布在所述有源面上的所述有源管芯的接触垫。

10.根据权利要求8所述的半导体封装的制造方法，其特征在于，其中所述第一群组中的两个相邻的所述接触垫的间距基本上匹配于所述细间距管芯的两个相邻的所述管芯连接件之间的间距，并且所述第一群组中的所述接触垫设置在所述有源管芯的外围和靠近所述绝缘包封体的所述部分。