[发明专利]半导体封装及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括分别布置的第一和第二有源管芯、至少横向密封第一和第二有源管芯的绝缘包封体、设置在绝缘包封体及第一和第二有源管芯上的重布线层、以及设置在重布线层上并延伸超过第一和第二有源管芯之间的间隙的细间距管芯。细间距管芯具有与第一和第二有源管芯不同的功能。细间距管芯的管芯连接件通过重布线层的第一导电路径连接到第一有源管芯的导电特征。第一导电路径的第一连接长度基本上等于细间距管芯的管芯连接件与第一有源管芯的导电特征之间的最短距离。

技术领域

本发明涉及一种封装结构及其制造方法，尤其涉及一种扇出(fan-out)半导体封装及其制造方法。

背景技术

近年来，电子设备对人类生活更为重要。为了使电子设备设计实现轻薄短小，半导体封装技术不断发展，试图开发体积更小、重量更轻、整合度更高以及市场竞争更激烈的产品。由于芯片封装技术受到集成电路发展的高度影响，故随着电子装置尺寸的变化，封装技术的需求也变得越来越苛刻。因此，在保持工艺简单性的同时使半导体封装微型化已成为该领域的研究人员的一大挑战。

发明内容

本发明提供一种半导体封装及其制造方法，其可提供电气性能的改善以及更高的可制造性。

本发明提供了一种半导体封装。半导体封装包括分别布置的第一有源管芯和第二有源管芯、至少横向密封第一有源管芯和第二有源管芯的绝缘包封体、设置在绝缘包封体及第一有源管芯和第二有源管芯上的重布线层、以及设置在重布线层上并延伸超过第一有源管芯和第二有源管芯之间的间隙的细间距管芯。细间距管芯具有与第一有源管芯和第二有源管芯不同的功能。细间距管芯的管芯连接件通过重布线层的第一导电路径连接到第一有源管芯的导电特征，其中重布线层的第一导电路径的第一连接长度基本上等于细间距管芯的管芯连接件和第一有源管芯的导电特征之间的最短距离。

在本发明的一实施例中，绝缘包封体的厚度大于第一有源管芯和第二有源管芯的厚度。在本发明的一实施例中，第一有源管芯包括第一有源面和分布在第一有源面上的多个导电特征，细间距管芯包括第二有源面和分布在第二有源面上的多个管芯连接件，第一有源管芯的导电特征中的第一群组连接到细间距管芯的多个管芯连接件，并且第一有源管芯的导电特征中的第二群组不连接到细间距管芯，以及分布在细间距管芯的第二有源面上的管芯连接件的分布密度比分布在第一有源管芯的第一有源面上的导电特征中的第二群组的分布密度更密集。在本发明的一实施例中，导电特征中的一群组设置在第一有源面的周边并对应于重布线层的管芯安装区，其中细间距管芯设置在管芯安装区，以及群组中的相邻的导电特征的间距基本上与对应于群组设置的细间距管芯的相邻的管芯连接件的间距相匹配。

本发明提供一种半导体封装的制造方法。制造方法至少包括以下步骤。多个有源管芯用绝缘包封体密装，其中相邻的有源管芯在空间上被绝缘包封体的一部分隔开。在有源管芯和绝缘包封体上形成重布线层。细间距的管芯设置在重布线层上并在绝缘包封体的一部分的上方，其中细间距管芯的管芯连接件接合到重布线层的导电路径。管芯连接件中的任一者与有源管芯中的任一者之间的导电路径的连接长度基本上等于管芯连接件中的所述一者与有源管芯中的所述一者之间的最短距离。