[发明专利]晶片封装结构的形成方法在审
| 申请号： | 201910894180.5 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110931370A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 郑心圃;翁得期;林柏尧;游明志;蔡柏豪;庄博尧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56;H01L25/16;H01L23/31 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李晔;李琛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 封装 结构 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片封装结构的形成方法，其特征在于，包括：
形成一导电柱于一重分布结构之上；
接合一晶片至该重分布结构；
形成一模封层于该重分布结构之上，其中该模封层包围该导电柱及该晶片，且该导电柱穿过该模封层；
形成一盖层于该模封层及该导电柱之上，其中该盖层具有露出该导电柱的一通孔，且该盖层包括纤维；以及
形成一导电导孔结构于该通孔之中，其中该导电导孔结构连接至该导电柱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910894180.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于伺服压机的运动规划的方法
- 下一篇：半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
