[发明专利]晶片封装结构的形成方法

说明书

本发明实施例提供一种晶片封装结构的形成方法，包括形成导电柱于重分布结构之上；接合晶片至重分布结构；形成模封层于重分布结构之上，其中模封层包围导电柱及晶片，且导电柱穿过模封层；形成盖层于模封层及导电柱之上，其中盖层具有露出导电柱的通孔，且盖层包括纤维；以及形成导电导孔结构于通孔之中，其中导电导孔结构连接至导电柱。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体装置的形成方法，尤其涉及一种包括晶片封装结构的形成方法。

背景技术

半导体元件用于各电子应用，例如个人电脑、移动电话、数码相机、及其他电子设备。一般以在半导体基板上依序沉积绝缘层或介电层、导电层、及半导体层，并使用光刻工艺及蚀刻工艺图案化各材料层以在其上形成电路组件和零件来制造半导体元件。

许多集成电路一般于半导体晶圆上制造。半导体晶圆可分割为晶粒。可封装晶粒，且已经开发了封装的各种技术。

发明内容

本发明实施例包括一种晶片封装结构的形成方法，包括形成导电柱于重分布结构之上；接合晶片至重分布结构；形成模封层于重分布结构之上，其中模封层包围导电柱及晶片，且导电柱穿过模封层；形成盖层于模封层及导电柱之上，其中盖层具有露出导电柱的通孔，且盖层包括纤维；以及形成导电导孔结构于通孔之中，其中导电导孔结构连接至导电柱。

附图说明

以下将配合所附图式详述本发明实施例。应注意的是，各种特征部件并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，元件的尺寸可能经放大或缩小，以清楚地表现出本发明实施例的技术特征。

图1A-1G为根据一些实施例绘示出形成晶片封装结构的工艺的各阶段剖面图。

图2为根据一些实施例绘示出晶片封装结构的剖面图。

图3A-3H为根据一些实施例绘示出形成晶片封装结构的工艺的各阶段剖面图。

图4为根据一些实施例绘示出晶片封装结构的剖面图。

图5A-5H为根据一些实施例绘示出形成晶片封装结构的工艺的各阶段剖面图。

图6为根据一些实施例绘示出晶片封装结构的剖面图。

附图标记说明：

110～基板

111～核心层

111a、111b～表面

112a、112b～导电垫层

113～导电导孔结构

114a、114b、114c、114d～绝缘层

115～布线层

116～布线层

116a、116b～导电垫层

117～布线层

118～布线层

118a～导电垫层

119a、119b～表面

119c～侧壁

120～导电凸块

130A、130B、130C、130D、130E、130F～晶片

131～半导体基板

131a～前表面

131b～后表面

132～介电层

133～导电垫层

134～内连层