[发明专利]太阳能硅片的刻蚀设备和制备系统在审
申请号: | 201910894299.2 | 申请日: | 2019-09-20 |
公开(公告)号: | CN110600584A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 左国军;成旭;柯国英;任金枝 | 申请(专利权)人: | 常州捷佳创精密机械有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 11343 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 尚志峰 |
地址: | 213133 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能硅片 传输组件 刻蚀设备 氧化膜 水膜组件 氧化组件 臭氧水 反应槽 蚀刻 臭氧发生装置 气液混合装置 表面形成 传送方向 高温反应 氧化设备 制备系统 热氧化 上表面 下表面 刻蚀 前向 湿法 水膜 制程 制备 能耗 传送 | ||
1.一种太阳能硅片的刻蚀设备,其特征在于,包括:
传输组件,用于传送所述太阳能硅片;
氧化组件,包括臭氧发生装置、气液混合装置和臭氧水反应槽;所述臭氧发生装置与所述气液混合装置相连接,所述气液混合装置与所述臭氧水反应槽相连接,所述传输组件用于将所述太阳能硅片传送至所述臭氧水反应槽,使所述太阳能硅片的表面形成氧化膜;
水膜组件,设置在所述氧化组件后方,用于在所述氧化膜的上表面形成水膜;
刻蚀组件,设置在所述水膜组件后方,用于对所述太阳能硅片的下表面进行蚀刻;
其中,所述传输组件的传送方向为从前向后。
2.根据权利要求1所述的刻蚀设备,其特征在于,
所述臭氧水反应槽包括反应区和与所述反应区相邻的溢流区,所述溢流区用于收集溢出所述反应区的臭氧水,所述氧化组件包括臭氧水循环槽,所述溢流区和所述臭氧水循环槽之间设有至少一条排水管路,所述反应区和所述臭氧水循环槽之间设有至少一条进水管路,使得所述反应区、所述溢流区和所述臭氧水循环槽形成循环流路。
3.根据权利要求2所述的刻蚀设备,其特征在于,
所述进水管路包括并联的第一进水管和第二进水管,所述第一进水管和所述第二进水管连接所述臭氧水循环槽的出口端;所述第一进水管上设置有所述气液混合装置和第一控制阀,所述第二进水管上设置有第二控制阀,所述第一控制阀和所述第二控制阀用于控制所述臭氧水反应槽内的臭氧浓度;和/或
所述氧化组件包括臭氧浓度传感器,所述臭氧浓度传感器设置于所述臭氧水循环槽与所述气液混合装置之间。
4.根据权利要求2所述的刻蚀设备,其特征在于,
所述进水管路上设置有臭氧水提升泵和臭氧水调节阀,所述臭氧水提升泵设于所述臭氧水循环槽的出口端,用于将所述臭氧水循环槽内的臭氧水输送至所述反应区内,所述臭氧水调节阀设于所述反应区的进口端,用于控制所述反应区内的液面高度;和/或
所述臭氧水循环槽上设置有排液管和/或溢流管。
5.根据权利要求1所述的刻蚀设备,其特征在于,
所述臭氧水反应槽上设置有槽盖,所述槽盖上设有抽风通道,所述抽风通道连接有臭氧破除器。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的刻蚀设备,其特征在于,
所述水膜组件包括滴液水膜装置和滴液槽,所述滴液槽位于所述传输组件的下方,所述滴液水膜装置位于所述传输组件上方,用于使经过所述滴液槽的所述太阳能硅片的上表面形成水膜。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的刻蚀设备,其特征在于,
所述刻蚀组件包括刻蚀槽,所述刻蚀槽位于所述传输组件下方,所述刻蚀槽包括反应槽和与反应槽相邻的溢流槽,所述反应槽用于设置药液以通过所述药液对所述太阳能硅片的下表面进行刻蚀,所述溢流槽用于收集溢出所述反应槽的药液。
8.根据权利要求7所述的刻蚀设备,其特征在于,
所述刻蚀组件包括药液循环槽,所述药液循环槽与所述溢流槽之间设置有至少一条排药管路,所述药液循环槽与所述反应槽之间设置有至少一条进药管路,使得所述反应槽、所述溢流槽和所述药液循环槽形成循环流路。
9.根据权利要求8所述的刻蚀设备,其特征在于,
所述进药管路上设置有药液提升泵和药液调节阀,所述药液提升泵设于所述药液循环槽的出口端,用于将所述药液循环槽内的药液输送至所述药液反应槽内,所述药液调节阀设于所述药液反应槽的进口端,用于控制所述反应槽的液面高度,以限制所述药液没过所述太阳能硅片的上表面;和/或
所述药液循环槽上设置有排液管和/或溢流管。
10.一种太阳能硅片的制备系统,包括如权利要求1至9中任一项所述的刻蚀设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的